三极管除了可以当做交流信号放大器之外，也可以做为开关之用。严格说起来，三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同，但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图1所示，即为三极管电子开关的基本电路图。由下图可知，负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间，而位居三极管主电流的回路上。

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<strong>倾角测量的典型应用</strong>

物联网开发套件（IDK）是一个可配置、快速创建原型的开发平台，应用于工业物联网、智能城市和楼宇及移动医疗。在本视频中，我们将集中于2个采用loT套件和一个Android应用程序的演示，以及用一个功率分布图形来阐明RSL10芯片的超低功耗功能。

<strong>引言</strong>

在开关电源中，EMI滤波器对共模和差模传导噪声的抑制起着显著的作用。在研究滤波器原理的基础上，探讨了一种对共模、差模信号进行独立分析，分别建模的方法，最后基于此提出了一种EMI滤波器的设计程序。

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不断设计并改进的数字隔离器，是否比光耦合器更强大呢？

面对这一质疑，让我们用事实说话！擂台战开启——数字隔离器与光耦合器性能大PK！

<strong>牛刀小试—— 10kv</strong>

面对“声讨”，数字隔离器初露锋芒。通过市场上输出电压最高24kV，脉冲提供高达40J功率、功能强大的浪涌测试仪进行PK战。

首先输出10kV的脉冲，数字隔离器顺利通过了测试，光耦合器也通过了测试。

<strong>摘要</strong>

在要求降低输出噪声的应用中，由于输出浪涌过大，开关转换器可能会遇到延迟启动的问题，或者可能根本无法启动。输出滤波器设计不当引起的输出浪涌电流及其影响，可以通过增加软启动时间、提高开关频率或减小输出电容来降低。本文介绍一些实用设计考虑事项，以防止输出浪涌过大引发启动问题。

<strong>简介</strong>

许多开关转换器设计是由严苛的输出噪声要求驱动的。对低输出噪声的需求促使设计人员加大输出滤波，例如在输出端使用多个电容。随着输出轨上电容的增加，过大浪涌电流可能会给启动过程造成问题，导致电感饱和或损坏功率开关。

我们预想中的完整 PCB 通常都是规整的矩形形状。虽然大多数设计确实是矩形的，但是很多设计都需要不规则形状的电路板，而这类形状往往不太容易设计。本文介绍了如何设计不规则形状的 PCB。

如今，PCB 的尺寸在不断缩小，而电路板中的功能也越来越多，再加上时钟速度的提高，设计也就变得愈加复杂了。那么，让我们来看看该如何处理形状更为复杂的电路板。

如图 1 所示，简单 PCI 电路板外形可以很容易地在大多数 EDA Layout 工具中进行创建。

5G 发展日新月异。从下一代革命性无线技术的模糊概念，到一些可望不可即的目标，再到日趋成熟的用例和技术标准，5G 发展日新月异，目前已具备可实现目标和可实施标准。在这一过程中，5G 展现出与当前蜂窝网络截然不同的特征。

<strong>它的用途是什么？</strong>

早先，人们经常讨论 5G 将带来的量变： Gbps 级带宽、竞争激烈的城市市场中巨大的面密度、出色的能效等。LTE 仍然有其局限性。而 5G 愿景被认为难以实现。许多应用领域的系统架构师认为 5G 是一种极速、高度可用和可靠的网络，将帮助他们摆脱困境。

<strong>1、概述</strong>

MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动电路的优化设计。驱动电路的优化设计包含两部分内容：一是最优的驱动电流、电压的波形；二是最优的驱动电压、电流的大小。在进行驱动电路优化设计之前，必须先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等参数对驱动的影响。

<strong>2、MOS管的模型</strong>

MOS管的等效电路模型及寄生参数如图1所示。图1中各部分的物理意义为：

（1）LG和LG代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻。

<strong><font color="#FF0000">作者：Foroohar Foroozan</font> </strong>

想象未来几十年后的世界，您的孙子们可能不知道医院这个词，所有健康信息都是通过传感器远程记录和监测。想象您的家里配备了不同的传感器来测量空气质量、温度、噪声、光照和气压，并且根据您的个人健康信息，系统调整相关环境参数以优化您的家居环境。在实现美好未来的道路上，ADI公司处于一个独特的有利位置，通过提供相互补充的传感器、软件和算法来增加其在数字健康市场的份额。

<strong>一、单片机上拉电阻的选择</strong>

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MCU中的特殊功能寄存器SFR，实际上就是SRAM地址已经确定的SRAM单元，在C语言环境下对其访问归纳起来有3种方法。

<strong>1.对C编译器进行语法扩充</strong>

对C编译器进行语法扩充。例如MCS51系列单片机的C-51语法中扩充了sfr关键字，举例如下：

<center>sfr P0 = 0x80;</center>

这样操作0x80单元直接写P0即可。

<strong><font color="#FF0000">作者：TI 工程师 Vental Mao</font> </strong>

一直以来，设计中的电磁干扰（EMI）问题十分令人头疼，尤其是在汽车领域。为了尽可能的减小电磁干扰，设计人员通常会在设计原理图和绘制布局时，通过降低高di / dt的环路面积以及开关转换速率来减小噪声源。

但是，有时无论布局和原理图的设计多么谨慎，仍然无法将传导EMI降低到所需的水平。这是因为噪声不仅取决于电路寄生参数，还与电流强度有关。另外，开关打开和关闭的动作会产生不连续的电流，这些不连续电流会在输入电容上产生电压纹波，从而增加EMI。

二极管正向压降与二极管整流同样实用，它会随温度的不同而发生很大变化，从而导致损耗增加，使电源出现容许误差。

虽然不可能消除损耗，但可以使用二极管来减少某些应用中的容差错误。本文将通过三个实例来展示如何达成这一目标。

您可以使用一个电阻器和一个齐纳二极管构建一款简单的低电流稳压器。这种稳压器通常适用于非临界应用，如内部偏置电压等。一般来说，电路会将输出电压的容许误差控制在约±10%的范围，但也可能通过串联一个二极管来改进调节功能。

图1显示了在齐纳二极管电路中串联一个二极管，曲线绘制了齐纳二极管的不同电压对应的温度系数。当稳压二极管电压大于4.7V时，温度系数逐渐变为正数，因此当工作温度升高时，齐纳二极管电压随之升高。如果与温度系数为负值的二极管配对，通过降低二极管正向电压，齐纳二极管增加的电压会被抵销，从而消除温度误差。

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关于硬件设计有许多观点，其中更为人们所认可的一条是，越早发现错误越好。然而，在传统的“先设计后验证”流程中，开始纠错之前，错误有充分的时间嵌入设计中。其实不必如此。

我们可以借鉴软件领域的一项技术——测试驱动开发 (TDD) ，通过局部修改设计流程来解决这个问题（图1）。在 TDD 中，你需要在编写代码之前为每个代码单元开发测试工具。

这样的顺序调整听起来似乎没有什么意义。但是越来越多的设计团队发现 TDD 带来了巨大的变化：缩短了设计时间，提高了质量，并使他们能够更好地应对漏洞和功能安全等新问题。

<strong>如何提高高电压输入、低电压输出的电源转换器的效率？</strong>

对于需要从高输入电压转换到极低输出电压的应用，有不同的解决方案。一个有趣的例子是从48 V转换到3.3 V。这样的规格不仅在信息技术市场的服务器应用中很常见，在电信应用中同样常见。

半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与全球授权分销商贸泽电子（Mouser Electronics）宣布携手ADI, Bel, 英飞凌, 美信, 安森美, Silicon Labs, TE与TI等全球顶尖制造商，参加3月14日至16日举办的2018上海慕尼黑电子展（展位号：E5馆5340）。

<strong><font color="#FF0000">作者：Tim Claycomb</font> </strong>