<strong>四、其他模式flyback设计</strong>

CCM/DCM Flyback设计

<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2018-05/wen_zhang_/100011453-40457-t1.j…; alt=“”></center>

在功率较大时，如65W。为了降低低压

输入时的导通损耗，使低压输入时进入CCM模式。高压输入时，DCM模式。

本视频我们将讨论如何为电源选择正确的工作频率。

<center><video autoplay="" controls="" name="media" style="width:600px;"><source src="http://v.21ic.com/technology/ti/1.mp4&quot; /></video></center>

注：主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。以下介绍基于电容常用功能，详细介绍各功能应用。

电容特性：通交流阻直流，通高频阻低频！

电容在大家平时的电路设计中是不可缺少的，但是很多的人都会进入一个电容使用的误区，就是电容的容值越大越好，滤波效果越好。其实并不是这样的，简单的说，就是大容值电容滤低频噪声，小容值电容滤高频噪声。

<strong><font color="#FF0000">作者：Christine Young, Maxim Integrated博主</font> </strong>

现代世界正在渴求更强的智能性，同时新产品面市的速度非常之快，从而最大化释放数据的经济价值。从可穿戴健康监护设备到智能灌溉系统，物联网(IoT)对底层技术的要求越来越高——更大功率、更大存储器以及更高安全性。

在多通道多路复用数据采集系统中，增加每个 ADC 的通道数量可改善系统的整体成本、面积和效率。现代 SAR ADC 具有高吞吐量和高能效，使得系统设计人员能够实现比以往更高的通道密度。

今天我们将说明多路复用器输入端的建立瞬变（由多路复用器输出端的大尺度开关瞬变引起）导致需要较长采集时间，使得多通道数据采集系统的整体吞吐量显著降低。然后，文中将着重阐述使输入建立时间最小化以及提高数据吞吐量和系统效率所需的设计权衡。

<strong>什么是多通道 DAQ？</strong>
<strong>如何衡量多通道 DAQ 的性能？</strong>

<strong>三、元器件设计</strong>

例：Flyback主电路中哪些元器件需要我们设计?

本视频将为大家讲解USB Type C型功率输出。

<center><video autoplay="" controls="" name="media" style="width:600px;"><source src="http://edu.21ic.com/uploads/techvideo/a201611/937.mp4&quot; /></video></center>

以太网，尤其是工业以太网近来已成为制造业的热门词汇。推荐查看我们近期的分享 工业以太网三部曲

它们虽然类似，却各有特点，各有优势。今天我们就来说说以太网和工业以太网，并比较它们二者之间的不同。

<strong>何谓以太网？</strong>

以太网最早出现于 1970 年代，之后按照 IEEE 802.3 实施了标准化。以太网是指符合 IEEE 802.3 标准的局域网 (LAN) 产品组。IEEE 802.3 是一组电气与电子工程师协会 (IEEE) 标准，用于定义有线以太网媒体访问控制的物理层和数据链路层。这些标准也说明子配置以太网网络的规则，以及各种网络元件如何彼此协作。

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<strong>一、评估设计指标</strong>

<strong>1.输入参数：输入电压大小，交流还是直流，相数，频率等。</strong>

• 国际电压等级有单相120Vac，220Vac，230Vac等。国际通用的交流电压范围为85～265V。一般包括输入电压额定值及其变化范围；

• 3kW以下功率常选用单相输入，5kW以上选用三相输入；

• 工业用电频率一般为50Hz或者60Hz,航空航天电源、船舶用电为400Hz.

• 有无功率因数（Power Factor)和谐波（Total Harmonics Distortion)指标

<strong>一、0欧姆电阻</strong>

电路设计中常见到0欧的电阻，大家往往会很迷惑：既然是0欧的电阻，那就是导线，为何要装上它呢？还有这样的电阻市场上有卖吗？其实0欧的电阻还是蛮有用的。大概有以下几个功能，其最重要且经常用的功能是：

<strong>重点介绍：模拟地和数字地单点接地</strong>

<strong>五、LED日光灯电源设计心得</strong>

<strong>非隔离型降压式电源设计方法概论</strong>

本视频将为大家讲解SEPIC转换器工作的演示实验。

<center><video autoplay="" controls="" name="media" style="width:600px;"><source src="http://edu.21ic.com/uploads/techvideo/a201611/935.mp4&quot; /></video></center>

在您的电源中很容易找到作为寄生元件的100fF电容器。您必须明白，只有处理好它们才能获得符合EMI标准的电源。

从开关节点到输入引线的少量寄生电容(100毫微微法拉)会让您无法满足电磁干扰(EMI)需求。那100fF电容器是什么样子的呢?在Digi-Key中，这种电容器不多。即使有，它们也会因寄生问题而提供宽泛的容差。

不过，在您的电源中很容易找到作为寄生元件的100fF电容器。只有处理好它们才能获得符合EMI标准的电源。

图1是这些非计划中电容的一个实例。图中的右侧是一个垂直安装的FET，所带的开关节点与钳位电路延伸至了图片的顶部。输入连接从左侧进入，到达距漏极连接1cm以内的位置。这就是故障点，在这里FET的开关电压波形可以绕过EMI滤波器耦合至输入。

<strong><font color="#FF0000">作者：Barry Manz 贸泽电子</font> </strong>

<strong>蜂窝网络物联网</strong>

如前面所述，蜂窝网络正在基于LTE开发面向IoT互连的解决方案，这个行业的总体发展路线就是在现有的LTE版本上进行开发并且继续完善，包括降低复杂性和成本，随着这个过程的展开，蜂窝网络技术将会变得更适合广泛的物联网应用，最终会促进第五代蜂窝网络技术5G的推出。

<strong>四、LED与LED驱动电源的匹配</strong>

我们已经很清楚的知道LED驱动电源只有两种方式：

恒流式：电流不变电压在一定范围内变化(随负载变化)

恒压式：电压不变电流在一定范围内变化(随负载变化)

而LED灯配合的方式有三种：串联式， 并联式，串并混联式。

<strong>串联式：</strong>

要求LED驱动器输出较高的电压。当LED的一致性差别较大时，分配在不同的LED两端电压不同，通过每颗LED的电流相同，LED的亮度一致。

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Renesas Synergy™是认证合格的完整平台，适用于物联网和嵌入式开发。其核心Synergy软件包 (SSP) 提供完全集成的认证合格软件库，其中包含传输层安全协议 (TLS)、MQTT以及用于Wi‑Fi®、蜂窝和BLE协议的无线框架，并支持全新Synergy微控制器。Synergy软件包内的中间件为物联网提供高效、安全的通信渠道。TLS用于加密和身份验证并保证数据安整性，实现了通信安全。

本视频将为大家讲解SEPIC转换器的工作原理。

<center><video autoplay="" controls="" name="media" style="width:600px;"><source src="http://edu.21ic.com/uploads/techvideo/a201611/936.mp4&quot; type="video/mp4" /></video></center>

电容充放电时间计算公式

设，V0 为电容上的初始电压值；V1 为电容最终可充到或放到的电压值；Vt 为t时刻电容上的电压值。则:

<center>Vt=V0 +（V1-V0）× [1-exp(-t/RC)] </center><center>t = RC × Ln[(V1 - V0)/(V1 - Vt)]</center>

例如，电压为E的电池通过R向初值为0的电容C充电 , V0=0，V1=E，故充到t时刻电容上的电压为：

<center>Vt=E × [1-exp(-t/RC)]</center>

再如，初始电压为E的电容C通过R放电 , V0=E，V1=0，故放到t时刻电容上的电压为：