<strong>简介</strong>

许多现代嵌入式系统需要通过固件更新来修复错误或支持新功能。同时，知识产权保护也起着重要作用。单片机具有强大的固件保护机制；然而，在从外部源传输数据时，固件容易被截取。

解决此问题的一种方法是使用安全的自举程序，并仅向公众发布加密的固件映像。本应用笔记介绍了SAM D10器件的安全自举程序的设计和工作原理，并说明了加密算法。

<strong>安全自举程序的特性</strong>

• 安全
• 长度较短（2 KB）
• 使用UART RX和TX引脚以及可选自举程序进入引脚
• 支持自更新
• 固件完整性验证

<strong><font color="#FF0000">作者：Andrew Plato</font> </strong>

<strong>关于射频芯片测试的那些事</strong>

这是Generation Robot系列短片，由Mouser Electronics（贸泽电子）、Microchip Technology、Intel、Analog Devices和Molex联合推出，此系列由5个短片组成。主要介绍机器人它们正在改变一切，这些改变不是在科幻电影中，而是在现实生活中。

在PCB设计中，可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中，通过预测可以将绝大多数设计修改仅限于增减元器件。通过调整PCB布局布线，能够很好地防范ESD。　　

来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正向偏置的PN结；熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏，需要采取多种技术手段进行防范。

在PCB板的设计当中，可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中，通过预测可以将绝大多数设计修改仅限于增减元器件。通过调整PCB布局布线，能够很好地防范ESD。以下是一些常见的防范措施。

伺服电机速度控制和转矩控制都是用模拟量来控制，位置控制是通过发脉冲来控制。具体采用什么控制方式要根据客户的要求以及满足何种运动功能来选择。

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<strong>接下来，给大家介绍伺服电机的三种控制方式。</strong>

<strong>简介</strong>

近年来，电机控制行业一直致力于为各种应用设计高能效的电机控制驱动。消费者对更高电能质量标准的需求推动了这一趋势。通过实现功率因数校正（Power Factor Correction，PFC）可以增强电能质量，使用无传感器磁场定向控制（Field Oriented Control，FOC）可以实现对电机的高效控制。家电行业通常需要以低成本实现这些算法。这可以通过在单个单片机中集成PFC和无传感器FOC算法实现。Microchip的32位单片机具有充足的计算和外设资源，能够在单个单片机上支持PFC和无传感器FOC。

本视频将向大家介绍Microchip的互连式可穿戴心电图仪（ECG）演示板。

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<strong><font color="#FF0000">作者：Aaron Schultz</font> </strong>

<strong>能否同时产生所有频率的频谱？</strong>

<strong>当然可以，白噪声发生器就可以同时产生幅度相同的所有频率，更简单更快速！</strong>

电路中的噪声通常都是有害的，任何好电路都应该输出尽可能低的噪声。尽管如此，在某些情况下，一个特性明确且没有其他信号的噪声源就是所需的输出。

我们发布了射频芯片测试重要性的文章后<strong><font color="#FF0000"><a href="http://mouser.eetrend.com/content/2018/100012312.html">插入损耗、隔离度、开关时间、谐波……哪个是射频开关测试痛点？</a></font> </strong>就有粉丝在后台问，在射频芯片测试中一头雾水，能不能具体讲解下各个测试项目？小编正有此意，今天先跟大家讲解下插入损耗、隔离度和驻波比这三个非常重要的射频芯片测试项目。

关于MOS管一直是工程师热衷讨论的话题之一，于是我们整理了常见及不常见的MOS管的相关知识，希望对各位工程师有所帮助。下面让我们一起来聊聊MOS管这个非常重要的元器件吧！

<strong>防静电保护</strong>

MOS管是属于绝缘栅场效应管，栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，产生较高的电压将栅极和源极之间的绝缘层击穿。早期生产的MOS管大都没有防静电的措施，所以在保管及应用上要非常小心，特别是功率较小的MOS管，由于功率较小的MOS管输入电容比较小，接触到静电时产生的电压较高，容易引起静电击穿。

贸泽电子 (<a href="https://www.mouser.com/">Mouser Electronics</a>) 荣获<a href="https://www.mouser.com/qorvo/">Qorvo</a>颁发的2018年度全球分销商大奖。Qorvo是以实现世界互联为宗旨的创新RF解决方案领先提供商。

<strong><font color="#FF0000">作者：Umesh Jayamohan</font> </strong>

ADC 在任何依赖外部（模拟）世界收集信息进行（数字）处理的系统中都是不可或缺的组成部分。从通信接收机和电子测试测量到航空航天，这些系统在不同的应用中各有不同。。。

硅片处理技术的发展（65 nm CMOS、28 nm CMOS等）使高速 ADC 得以跨越 GSPS（每秒千兆采样）门槛，同时提供12位或14位性能。

<strong>最常见的是以下两种 </strong>

① 超过变量128后必须使用compact模式编译，实际的情况是只要内存占用量不超过 256.0 就可以用 small 模式编译

② 128以上的某些地址为特殊寄存器使用，不能给程序用.与 PC 机不同，51 单片机不使用线性编址，特殊寄存器与 RAM 使用重复的重复的地址。但访问时采用不同的指令，所以并不会占用 RAM 空间。

③是否把一些固定的代码存贮到了CODE区。如果把没变化的数据也存储到DATA去，就太浪费了！

由于内存比较小，一般要进行内存优化，尽量提高内存的使用效率。

也许大家已经注意到，随着无线设备复杂性急剧增加，手机支持的频段数量也在不断增加。从最开始的2个GSM频段，到现在的4个GSM频段，3个CDMA频段，5个UMTS频段和10个LTE频段。未来，诸如5G New Radio等标准将继续增加无线设备的复杂性。开关是射频前端模块（RF FEM）切换多个频段的关键元件，所以，我们今天要讨论的话题就是射频开关测试方法

<font color="#FF0000">作者：Jason Marcel 蓝牙技术联盟高级营销撰稿人</font>

对于蓝牙的认识，你的印象是否还停留在音频传输？从蓝牙技术诞生，经过20年的演进，蓝牙社区开发的产品一直推动着全球创新，开创了新的无线市场。过去二十年来，蓝牙成员社区带来了巨大的影响，其中最重要的一点就是本地数据传输的变革。

<strong>简介</strong>

SAM Boot Assistant（SAM-BA）允许使用USB或UART主机进行在系统编程（In-system Programming，ISP），而无需任何外部编程接口。通常，SAM-BA监视器在出厂时编程到ROM（如果存在）中。如果ROM不存在，默认情况下不支持SAM-BA。要在无ROM器件中支持SAM-BA，可以将SAM-BA监视器应用程序加载到闪存中。

本应用笔记重点介绍无ROM Cortex-M器件并说明SAM-BA监视器及其在这些器件上的接口。SAM-BA监视器兼容现有SAM-BA软件工具，但与其他Cortex-M器件相比有一些差异。本文档将说明这些差异。

<strong>Henry Zhang和Kevin B. Scott ADI公司</strong>

开关模式电源有三种常用电流检测方法是：使用检测电阻，使用MOSFET RDS(ON)，以及使用电感的直流电阻(DCR)。每种方法都有优点和缺点，选择检测方法时应予以考虑。

<strong>检测电阻电流传感</strong>

作为电流检测元件的检测电阻，产生的检测误差最低（通常在1%和5%之间），温度系数也非常低，约为100 ppm/°C(0.01%)。在性能方面，它提供精度最高的电源，有助于实现极为精确的电源限流功能，并且在多个电源并联时，还有利于实现精密均流。

半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 宣布将参加7月10-12日在成都世纪新城国际会展中心举办的2018成都电子信息博览会，服务西部广大的工程师们。

<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2018-07/wen_zhang_/100012302-43712-bann…; alt=“” width="600"></center>

本文将探讨如何选择用于热插拔的MOSFET（金氧半场效晶体管）

当电源与其负载突然断开时，电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生巨大的尖峰电压，对电路上的电子元件造成十分不利的影响。与电池保护应用类似，此处MOSFET可以将输入电源与其他电路隔离开来。但此时，FET的作用并不是立即断开输入与输出之间的连接，而是减轻那些具有破坏力的浪涌电流带来的严重后果。这需要通过一个控制器来调节输入电压（VIN）和输出电压（VOUT）之间MOSFET上的栅源偏压，使MOSFET处于饱和状态，从而阻止可能通过的电流（见图1）。