碳化硅MOSFET

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。


瑞能半导体以效率优势探索,凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度

2022年9月6日,瑞能半导体CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大举办的第九届中国国际半导体高管峰会(以下简称:CISES)。

Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器,可将开关损耗降低50%,同时加快产品上市时间,现已投入生产

为了进一步完善其丰富的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出一款全新的1200V可直接用于生产的数字栅极驱动器,为系统开发人员提供多层级的控制和保护,以实现安全、可靠的运行并满足严格的运输要求。