为实现无碳社会，罗姆修订2030年温室气体减排目标
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）为了实现无碳社会，修订了2030年中期环境目标。同时，罗姆宣布支持气候相关财务信息披露工作组（Task Force on Climate-related Financial Disclosures，以下简称“TCFD”）的建议，并决定按照TCFD的建议开展相关信息披露工作。
ROHM
ROHM开发出防水等级达IPX8的小型高精度气压传感器IC“BM1390GLV”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向白色家电、工业设备和小型物联网设备，开发出防水等级达IPX8*1的小型高精度气压传感器 IC“BM1390GLV（-Z）”。
在车载市场中拥有丰硕业绩的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”产品阵容进一步壮大
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出小型高效的肖特基势垒二极管（以下简称SBD）“RBR系列”共12款产品，“RBQ系列”共12款产品，这些产品非常适用于车载设备、工业设备和消费电子设备等各种电路的整流和保护。至此，这两个系列的产品阵容中已达178款产品。
ROHM开发出LiDAR用75W高输出功率激光二极管“RLD90QZW3”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款高输出功率半导体激光二极管“RLD90QZW3”，非常适用于搭载测距和空间识别用LiDAR的工业设备领域的AGV（无人搬运车）和服务机器人、消费电子设备领域的扫地机器人等应用。
ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”
ROHM（总部位于日本京都市）开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”。
ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET
ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。
贸泽与ROHM携手推出全新电子书 介绍下一代电动汽车的电源解决方案
贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与ROHM Semiconductor合作推出全新电子书Driving the Future of Automotive Solutions with ROHM（与ROHM一同推进未来汽车解决方案），重点介绍下一代汽车解决方案的核心技术。
ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
ROHM（总部位于日本京都市）面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用空调、路灯等工业设备，开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。
ROHM开设支持汽车“功能安全”设计的特设网页
ROHM（总部位于日本京都市）将支持汽车“功能安全”的产品冠以“ComfySILTM”品牌名称，并开设了汇集相关产品的特设网页。该网页提高了产品和各种文档的可搜索性，有助于提升汽车领域电子电路设计者和系统设计者的工作效率。
非常适用于车载摄像头模块！ROHM开发出SerDes IC“BU18xMxx-C”以及摄像头用PMIC“BD86852MUF-C”
ROHM 开发出非常适用于ADAS（高级驾驶辅助系统）的车载摄像头模块的SerDes IC※1“BU18xMxx-C”以及摄像头用PMIC※2“BD86852MUF-C”。这两款产品不仅可以满足对于模块的小型化和低功耗的需求，而且由于其低电磁噪声（低EMI）的特性，还有助于减少客户的开发工时。