美光推出全球首款 176 层 NAND 移动解决方案，助力 5G 超快体验
内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU) 今日宣布，公司已开始批量出货全球首款基于 176 层 NAND 技术的通用闪存 UFS 3.1 移动解决方案。
Nand
华邦OctalNAND Flash与新思科技DesignWare AMBA IP完美契合，提供完整的高容量 NAND 闪存解决方案
华邦电子今日宣布，华邦OctalNAND Flash可透过与新思科技用于AMBA DesignWare Synchronous Serial Interface (SSI) IP的整合，获得完整的支持。DesignWare SSI IP可优化闪存性能，助力串行式闪存与华邦OctalNAND Flash实现高传输速率并降低延迟。
三星Q1仍是全球第一大NAND闪存供应商 拿下三分之一市场份额
研究机构的数据显示，在今年一季度，三星电子仍是全球第一大NAND闪存供应商，拿下了三分之一的市场份额。
SK海力士：NAND闪存将堆叠超过600层
存储大厂SK海力士的CEO李锡熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE国际可靠性物理研讨会上发表主题演讲，分享了在闪存、内存未来发展方面的一些规划和展望。
威刚发布工业级IEM5141A eMMC：集成主控与NAND闪存
作为一家业内知名的高性能内存模组、NAND 闪存产品、移动配件、以及游戏外设制造商，威刚（ADATA）其实在电力传动和工业解决方案上也有相当深厚的积淀。比如今日，该公司就推出了面向工业和互联网应用的 IEM5141A 嵌入式存储解决方案。
美光率先于业界推出 1α DRAM 制程技术
Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU) 今日宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品。
美光出货全球首款 176 层 NAND，实现闪存性能和密度的重大突破
内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，一举刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的重大提升。美光全新的 176 层工艺与先进架构共同促成了此项重大突破，使数据中心、智能边缘平台和移动设备等一系列存储应用得以受益，实现性能上的巨大提升。
SK海力士收购英特尔NAND闪存业务
SK海力士和英特尔在韩国时间10月20日共同宣布签署收购协议，根据协议约定，SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。