MOSFET

Nexperia推出应用专用MOSFET，为高功率工业应用提供增强的动态均流功能
省去繁琐且高成本的器件阈值电压匹配环节
东芝推出采用最新一代工艺技术的100V N沟道功率MOSFET，助力提高工业设备开关电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。
英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC™ 650 V G2系列MOSFET，适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司宣布扩展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET产品组合，新增 75 mΩ 规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。
Nexperia推出100 V MOSFET，为高要求汽车应用实现超低导通损耗
车规级CCPAK1212封装可提高48 V设计的功率密度
瞻芯电子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量产交付应用，赢得市场认可
近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品，凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单，已量产交付近200万颗，为应用系统提供高效、可靠的解决方案。
圣邦微电子推出 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET SGMNL12330
圣邦微电子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。
Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术，助力重塑辅助电源系统的耐用性和成本
在几乎所有电机驱动、电动汽车、快速充电器和可再生能源系统中，都会配备低功耗辅助电源。虽然相比于主要的功率级，此类电源通常受到的关注较少，但它们仍是帮助系统高效运行的关键组成部分。
SiC MOSFET 并联的关键技术
基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。
突破传统！AOS GTPAK顶部散热MOSFET的创新设计
针对工业及大电流应用对功率需求的不断提升，AOS推出创新型GTPAK功率MOSFET封装方案。该封装采用顶部散热技术，通过大面积裸露焊盘将热量高效传导至散热片，显著提升功率密度和散热效率，相比传统PCB底部散热方式具有明显优势。
英飞凌CoolMOS™ 8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。