MOSFET

瞻芯电子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量产交付应用，赢得市场认可
近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品，凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单，已量产交付近200万颗，为应用系统提供高效、可靠的解决方案。
圣邦微电子推出 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET SGMNL12330
圣邦微电子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。
Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术，助力重塑辅助电源系统的耐用性和成本
在几乎所有电机驱动、电动汽车、快速充电器和可再生能源系统中，都会配备低功耗辅助电源。虽然相比于主要的功率级，此类电源通常受到的关注较少，但它们仍是帮助系统高效运行的关键组成部分。
SiC MOSFET 并联的关键技术
基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。
突破传统！AOS GTPAK顶部散热MOSFET的创新设计
针对工业及大电流应用对功率需求的不断提升，AOS推出创新型GTPAK功率MOSFET封装方案。该封装采用顶部散热技术，通过大面积裸露焊盘将热量高效传导至散热片，显著提升功率密度和散热效率，相比传统PCB底部散热方式具有明显优势。
英飞凌CoolMOS™ 8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。
ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件
Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36 ℃/W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性
ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。
AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET
新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品在高负载条件下能够保持较低的传导损耗，其开关品质因数（FOM）显著提升高达30%。在强化性能的同时，确保了卓越的可靠性。