MOSFET

在LFPAK封装中采用新型SOA（安全工作区） Trench技术，可提供出色的瞬态线性模式性能，为设计人员带来体积更小、更可靠的选择。

新器件缩小封装尺寸60%，增强性能并减少损耗

本文介绍一种外形紧凑、纤薄、响应速度快的10 A电子保险丝，它没有上述这些无源保险丝缺点。电子保险丝可在高达48 V的DC电源轨上提供过流保护。

非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。

新模型还可在原型设计前对EMC性能进行调查

英飞凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。

本文通过使用任意波发生器对电子调速器进行驱动和测试，在精准测量出各路桥臂时延特性后，经过驱动软件优化让电路达到了最佳控制效果。

近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。

高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。