MOSFET

Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合

在LFPAK封装中采用新型SOA(安全工作区) Trench技术,可提供出色的瞬态线性模式性能,为设计人员带来体积更小、更可靠的选择。

安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET

新器件缩小封装尺寸60%,增强性能并减少损耗

干货 | 10 A电子保险丝可为48 V电源提供紧凑型过流保护

本文介绍一种外形紧凑、纤薄、响应速度快的10 A电子保险丝,它没有上述这些无源保险丝缺点。电子保险丝可在高达48 V的DC电源轨上提供过流保护。

ROHM的600V耐压超级结MOSFET 新增“R60xxVNx系列”的7款机型

非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗

东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。

Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围

新模型还可在原型设计前对EMC性能进行调查

英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET,树立技术新标准

英飞凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。

【AFG专题系列72变】之二:无刷电机调速器我可以

本文通过使用任意波发生器对电子调速器进行驱动和测试,在精准测量出各路桥臂时延特性后,经过驱动软件优化让电路达到了最佳控制效果。

从硅过渡到碳化硅,MOSFET的结构及性能优劣势对比

近年来,因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动,碳化硅功率器件取得了长足发展。

英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET

高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此,英飞凌科技股份公司推出了新一代OptiMOS™ 源极底置(Source-Down,简称SD)功率MOSFET,为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。