DRAM
微结构不均匀性(负载效应)及其对器件性能的影响:对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究
在DRAM结构中,电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中,我们将为大家呈现,如何利用SEMulator3D研究先进DRAM工艺中存在的AA形状扭曲和与之相关的微负载效应与制造变量。
TrendForce预计2021年4季度PC DRAM合约价或下跌5%
2021 年 3 季度的 PC DRAM 合约价格谈判,已基本尘埃落定。在供应商低库存和采购旺季到来的情况下,当季合约价环比上涨了 3~8% 。
SK海力士开始生产面向移动平台的LPDDR5 DRAM
韩国计算机硬件公司SK海力士(SK Hynix)已于3月开始为智能手机生产LPDDR5移动DRAM。该公司的LPDDR5移动DRAM是目前市场上唯一能够提供移动行业最大容量的DRAM,它会被安装在高端的移动智能手机上,可以应对高分辨率和高质量的视频拍摄和回放。
创见发布无DRAM缓存的嵌入式固态硬盘产品线
作为业内领先的嵌入式存储器制造商之一,创见(Transcend)刚刚刷新了面向工业应用的高性价比固态硬盘产品线。
入局主流存储市场,兆易创新首款自有品牌DRAM产品正式发布
兆易创新GigaDevice 今日宣布,首款自有品牌4Gb DDR4产品——GDQ2BFAA系列现已量产,实现了从设计、流片,到封测、验证的全国产化,在满足消费类市场强劲需求的同时,助力国产自主供应生态圈的发展构建。
2021年第一季DRAM产值季增8.7% !
根据TrendForce集邦咨询研究显示,2021年第一季DRAM(内存)需求较预期更为强劲,主要包含远距办公与教学带动笔电需求淡季不淡,以及国内智能手机品牌OPPO、vivo、小米(Xiaomi)积极加大零部件采购力道,欲抢食华为(Huawei)的市占缺口。
TrendForce:旺盛需求或让2021年2季度DRAM价格上涨18~23%
集邦咨询(TrendForce)调查发现,主力 DRAM 供应商和 PC OEM 厂商正处于 2 季度合约价谈判的关键时期。最新的交易数据显示:尽管这些议价尚未敲定,但截至目前,主流 1G*8 DDR4-2666 内存模组的平均售价,已较上一季度增长近 25% 。
第二季度DRAM价格预测出炉!涨幅大幅上扬
根据TrendForce集邦咨询最新调查,DRAM价格已正式进入上涨周期,第二季受到终端产品需求持续畅旺,以及资料中心需求回升的带动,买方急欲提高DRAM库存水位。因此,DRAM均价历经第一季约3~8%的上涨后,预估第二季合约价涨幅将大幅上扬13~18%。
2024年车用DRAM位元消耗量将占整体DRAM 3%以上
TrendForce集邦咨询指出,车用DRAM相关应用目前分为四大领域,包含车载信息娱乐系统 (Infotainment)、先进驾驶辅助系统(ADAS)、车载信息系统(Telematics)、数位仪表板(D-cluster)。