安森美半导体在APEC 2021发布新的用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案

全面的宽禁带器件组合实现高性能充电方案

推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布一对1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模块,进一步增强其用于充满挑战的电动车 (EV) 市场的产品系列。

随着电动车销售不断增长,必须推出满足驾驶员需求的基础设施提供一个快速充电站网络,使他们能够快速完成行程,没有“续航里程焦虑。这一领域的要求正在迅速发展,需要超过350 kW的功率水平和95%的能效成为常规。鉴于这些充电部署在不同的环境和地点,紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面临的挑战。

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块,基于平面技术,适合18 V20 V范围内的驱动电压,易于用负门极电压驱动。的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比,降低了热阻,从而在相同的工作温度下降低了芯片温度。

NXH010P120MNF配置为2-PACK半桥架构,是采用F1封装的10 mohm器件,而NXH006P120MNF2采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚,工业应用的理想选择,且嵌入的一个负温系数 (NTC) 热敏电阻有助于温度监测。

新的SiC MOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分,被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离IGBT/MOSFET极驱动器提供5 kV的电隔离,可配置为双下桥、双上桥或半桥工作

NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装,接受逻辑电平输入(3.3 V、5 V和15 V)。该高电流器件(在米勒平台电压下,源电流4.0 A/电流6.0 A)适合高速工作,因为典型传播延迟为60 ns。

安森美半导体 SiC MOSFET与新的模块和门极驱动器相辅相成类似的硅器件提供更胜一筹的开关性能和增强的散热,令能效和功率密度更高,电磁干扰 (EMI) 得以改善并减小系统尺寸和重量。

最近发布的 650 V SiC MOSFET 采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,使(RDS(on)*area) 品质因数 (FoM) 达到同类最佳。系列器件NVBG015N065SC1NTBG015N065SC1NVH4L015N065SC1  NTH4L015N065SC 市场上采用D2PAK7L / TO247 封装的具有最低RDS(on) 的MOSFET。

1200 V和900 V N沟道SiC MOSFET芯片尺寸,减少了器件电容和门极电荷(Qg - 低至220 nC),从而减少电动车充电桩高频工作的开关损耗。

 APEC 2021 期间,安森美半导体将展示用于工业应用 SiC方案,并展商研讨会上介绍电动车非车载充电方案

欲注册观展,请访问http://apec-conf.org/conference/registration/

更多资源及文档:

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视频:25 kW SiC模块电动车直流快速充电桩电源级

白皮书:全面解析快速直流充电

关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子创新,使世界更绿、更安全、包容及互联。公司已转变为客户首选的电源、模拟、传感器及联结方案供应商。公司卓越的产品帮助工程师解决他们在汽车、工业、云电源及物联网(IoT)应用中最独特的设计挑战。

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