英飞凌.

4月12日，由车百会研究院主办的2026智能电动汽车发展高层论坛在北京举行。

英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。