英飞凌.

英飞凌汽车业务本土化战略一周年：从蓝图到实景，筑牢"产-需-生态"全链条优势
4月12日，由车百会研究院主办的2026智能电动汽车发展高层论坛在北京举行。
英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET
英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。