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英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET
英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。