芯合半导体参与制定的《SiC MOSFET 阈值电压测试方法》等9项标准正式发布 winniewei / 周四, 21 十一月 2024 - 13:27 11月19日,由芯合半导体参与制定的《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法》等9项SiC MOSFET测试与可靠性标准正式发布。 阅读更多 关于 芯合半导体参与制定的《SiC MOSFET 阈值电压测试方法》等9项标准正式发布登录 发表评论