TrenchFET

TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度

本视频将向您介绍Vishay TrenchFET 第四代顶侧双面冷却MOSFET的内容。 Vishay TrenchFET®第四代顶侧双面冷却MOSFET可进行顶侧冷却，另外还可在器件上的另一个位置实现热传递。这些MOSFET采用PowerPAK® SO-8DC封装。TrenchFET双面冷却MOSFET包括可提供如下漏源击穿电压的型号：25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V。这些N通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。