TrenchFET

TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度

本视频将向您介绍Vishay TrenchFET 第四代顶侧双面冷却MOSFET的内容。

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