跳转到主要内容
Toggle navigation
快讯
技术
新品
方案
博客
视频
直播
访谈
活动
登录
注册
TetraMem
TetraMem宣布22纳米多比特RRAM模拟内存计算SoC取得产品研发里程碑
总部位于硅谷、致力于研发模拟内存计算(IMC)解决方案的半导体公司TetraMem Inc.宣布,旗下基于22纳米多比特阻变存储器(RRAM)打造的模拟IMC系统级芯片(SoC)平台MLX200已成功完成流片、生产以及初步硅片实测验证。