在面向功率电子专业人士的网站上，如何导通 MOSFET 的话题可能不值一提，就好像在烹饪展上问如何把水烧开一样。毕竟这不应当是个大问题。与双极型器件不同，场效应晶体管是多数载流子器件（majority carrier device）。我们无需担心电流增益，定制基础电流以匹配 hfe 和可变集电极电流的极值，或者提供负压驱动。MOSFET 是电压驱动的，所以当把等于或大于阈值的电压施加到栅极时它们就会导通，是不是？这些假设有多么错误取决于何时发现错误。量产最后期限之前的时间通常只有几天。没有一例记载表明设计工程师在仿真期间发现了问题。
随着越来越多转换器采用数字控制，需要重新认识如何导通 MOSFET（或者在更基本层面，确定应当施加到栅极的最小电压）的问题。虽然数字控制可提供高一级的灵活性和功能性，但用于实现数字控制的 DSP、FPGA 和其他可编程器件在工作时使用的却是低电源电压。因此，有必要将最终 PWM 信号的电压提高到 MOSFET 栅极要求的水平。这时，由于对 MOSFET 导通的真正原因的错误认识，问题随之出现。许多数字设计工程师着眼于栅极阈值电压并得出结论：如同其数字逻辑一样，MOSFET 将在阈值被超过时立即改变状态。
