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RF放大器

深入探讨关于RF放大器模型结构,看完秒懂!

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传统上,线性和非线性RF电路仿真占据了不同领域。为了仿真级联小信号增益和损耗,RF设备设计人员传统上一直广泛使用S参数器件模型。由于缺乏数字形式的数据(如IP3、P1dB和噪声),而且常用RF仿真器中历来没有频率变化模型结构,所以传统方式中非线性仿真更具挑战性。RF电路设计人员通常采用自制的电子表格来计算级联噪声和失真。但是,这些电子表格难以模拟系统级特性,例如误差矢量幅度(EVM)和邻道泄漏比(ACLR);当信号链由调制信号驱动时,这些特性变得很重要。

本文将探讨一些将线性S参数数据与非线性数据(如噪声系数、IP3、P1dB和PSAT)相结合的RF放大器模型结构。本文还会展示系统级仿真结果,以评估其对实际特性建模的准确程度。

资料下载:采用LFCSP和法兰封装的RF放大器的热管理计算

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<strong><font color="#004a85">作者:Eamon Nash</font> </strong>

<strong>简介</strong>

射频(RF)放大器可采用引脚架构芯片级封装(LFCSP)和法兰封装,通过成熟的回流焊工艺安装在印刷电路板(PCB)上。PCB不仅充当器件之间的电气互联连接,还是放大器排热的
主要途径(利用封装底部的金属块)。本应用笔记介绍热阻概念,并且提供一种技术,用于从裸片到采用LFCSP或法兰封装的典型RF放大器的散热器的热流动建模......