LMG1210

在集成电路中，场效应管（FET）无疑是电流控制元件中的一大明星。当今电子设备正不断朝着高度集成、快速运行的方向发展，这对FET的体积和速度提出了更高的要求。此外，随着5G、快速充电等消费电子新技术得到普及，以及无人驾驶等高新尖端科技如火如荼地发展，电子元件需要更好地满足高能效、高速、高频率等要求，这正是GaN技术崭露头角的机会。为此，Texas Instruments带来了两款新型高速氮化镓（GaN）FET驱动器：LMG1020和LMG1210。

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贸泽电子（Mouser Electronics）即日起开始备货Texas Instruments（TI）LMG1210 200V 半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓（GaN）电源产品系列，与传统硅替代方案相比，拥有更高的效率与功率密度，以及更小的整体系统尺寸，并专门针对速度关键型功率转换应用进行了优化。

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