CGD

CGD 官宣突破100KW以上技术，推动GAN挺进超100亿美元的电动汽车逆变器市场
ICeGaN HEMT 和IGBT 的并联组合降低了成本、实现高效率
CGD 获得3,200万美元融资，以推动在全球功率半导体领域的增长
自剑桥大学分拆成立的 CGD 获得 C 轮融资，扩大在剑桥、北美、中国台湾和欧洲的业务
CGD和QORVO将彻底改变电机控制解决方案
评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率
采用新型热阻增强封装的P2系列表现出超高的电气性能，支持具有挑战性的高功率应用，坚固可靠
CGD为电机控制带来GaN优势
评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装
新封装提供了更高的功率输出、便于光学检查、节省了系统成本，并提高了可靠性
CGD与中国台湾工业技术研究院签署GaN电源开发谅解备忘录
为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机应用开发功率密度超过30 W/in3的140-240 W USB-PD适配器
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统
拥有系统和应用、研究和设备方面的专业知识，可生产创新、高性能的基于 GaN 的笔记本电脑和数据中心电源产品
CGD 的 ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN™ GaN HEMT 片上系统 (SoC) 在台积电 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获“最佳演示”奖。