CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率
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采用新型热阻增强封装的P2系列表现出超高的电气性能,支持具有挑战性的高功率应用,坚固可靠
为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机应用开发功率密度超过30 W/in3的140-240 W USB-PD适配器
拥有系统和应用、研究和设备方面的专业知识,可生产创新、高性能的基于 GaN 的笔记本电脑和数据中心电源产品
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN™ GaN HEMT 片上系统 (SoC) 在台积电 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获“最佳演示”奖。