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消费电子行业日益担心浮栅NVM（非易失性内存）不能继续以每比特更低成本来提供更高的存储功能，而每比特更低成本则是驱动NVM市场发展的根本性要求。浮栅方法可能会“撞墙”，意味着替代技术的研究工作已经变得日益关键。科学家们正在研究可以替代FG NAND技术的NVM备选方案，包括相变内存(PCM/PRAM)、电荷俘获内存(CTF/SONOS)、电阻内存(ReRAM)、铁电内存(FeRAM)和磁阻内存(MRAM) 等。