Qrr与Trr双优表现,龙腾半导体650V 99mΩ 超结MOSFET发布 winniewei / 周五, 26 九月 2025 - 15:49 龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超结MOSFET,其内置FRD,适应LLC应用,并适合多管应用,具有更快的开关速度,更低的导通损耗;极低的栅极电荷(Qg),大大提高系统效率和优异的EMI性能。 阅读更多 关于 Qrr与Trr双优表现,龙腾半导体650V 99mΩ 超结MOSFET发布登录 发表评论