功率MOSFET

<strong>最大额定参数</strong>

最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)

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<strong>VDSS 最大漏-源电压</strong>

在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。

<strong>VGS 最大栅源电压</strong>

<strong>功率MOSFET的正向导通等效电路</strong>

（1）：等效电路

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（2）：说明：

功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。

<strong>功率MOSFET的反向导通等效电路（1）</strong>

（1）：等效电路（门极不加控制）

在功率MOSFET的数据表中，列出了开通延时、开通上升时间，关断延时和关断下降时间，作者经常和许多研发的工程师保持技术的交流，在交流的过程中，发现有些工程师用这些参数来评估功率MOSFET的开关损耗，这种方法是不正确的，原因在于没有理解这些参数的定义。

某种程度上，在功率MOSFET的数据表中，这四个参数的定义比电流的定义更没有意义：花瓶的摆设作用，只能说人有的我也得有吧。

开通延时、开通上升时间，关断延时和关断下降时间的测试条件，以AON6512为例，为：VGS=10V，VDS=15V，RL=0.75Ohm，RG=3Ohm。

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