东芝

东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。
东芝推出用于直流无刷电机驱动的600V小型智能功率器件
通孔式小型封装有助于减小表贴面积和电机电路板尺寸
东芝推出适用于半导体测试设备中高频信号开关的小型光继电器
降低插入损耗，改善高频信号传输特性
东芝 MG10系列企业级SATA HDD获得浪潮信息澎湃技术兼容性认证
近日，TOSHIBA（东芝） MG10系列企业级SATA HDD (MG10ACA) 完成与浪潮信息NF5280M6服务器平台的兼容性适配认证，获得浪潮信息澎湃技术认证授权证书。
东芝进一步扩展Thermoflagger™产品线---检测电子设备温升的简单解决方案
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，进一步扩展ThermoflaggerTM过温检测IC产品线---“TCTH0xxxE系列”。
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。
东芝推出用于直流无刷电机驱动的600V小型智能功率器件
表面贴装型小型封装有助于减小表贴面积和电机驱动电路板的尺寸
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
Toshiba Materials对第二座生产设施的重大投资将提高氮化硅球的产量
Toshiba Materials Co., Ltd. 今天宣布对新生产设施进行重大投资，这将显著提高氮化硅球的产能。该工厂将建在该公司位于日本九州北部的大分厂区(Oita Operations)，项目总投资70亿日元（约合5000万美元），预计将于2026年1月投产。