Vishay

Vishay推出旋钮电位器，简化工业和音频应用设计并优化成本
器件内置旋钮开关，IP67密封，介电强度高达5000 VAC，额定功率1 W
Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平，可显著提高功率密度、能效和热性能
节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %，有助于减少元器件数量并简化设计
Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块，延长链路距离，提高抗ESD可靠性
器件符合IrDA®标准，采用内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，可以即插即用的方式替换现有解决方案
Vishay推出的新款浪涌限流PTC热敏电阻可提高有源充放电电路性能
自我保护器件R25阻值达1 kW，可处理直流电压高达1200 VDC，能量吸收能力达240 J，适于汽车和工业应用
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗
半桥器件采用Trench IGBT技术，可选低VCE(ON)或低Eoff，适用于大电流逆变级
Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK® 1212-F封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET
器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212F封装，提高系统功率密度，改进热性能
Vishay推出超小型高集成度的可见光敏感度增强型高速PIN光电二极管
器件易于集成、支持精确信号检测、设计灵活，适于可穿戴设备心率监测和脉搏血氧监测应用
Vishay推出新款全集成超小型接近传感器，待机电流低至5 μA
器件采用垂直腔面发射激光器和智能双I2C从机地址，适用于真无线立体声（TWS）耳机、虚拟现实/增强现实（VR / AR）头盔等各种电池供电消费类电子应用
Vishay为其高性能红外接收器模块推出升级版
器件可提供即插即用方式替换现有解决方案，降低更宽电源电压范围内的供电电流，提高抗ESD可靠性、黑暗环境灵敏度和DC强光直射性能
Vishay推出的新款10 MBd低功耗光耦，供电电流低至5 mA，电压范围2.7 V至5.5 V
高速器件有助于工业应用节能，适用于低压微控制器和I2C总线系统