UnitedSiC

贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。
UnitedSiC（现已被 Qorvo收购）为功率设计扩展高性能且高效的750V SiC FET产品组合
7 款 D2PAK 表贴器件提供出色的灵活性
UnitedSiC（现为 Qorvo®）针对电源设计扩展更高性能和效率的750V SiC FET 产品组合
七款D2PAK 表面贴装器件可提供更佳灵活性
贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET为各类电源应用提供更好的支持
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。
UnitedSiC（现已被 Qorvo收购）宣布推出行业先进的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
Qorvo® 今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、
UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。
贸泽电子开售Qorvo旗下UnitedSiC的UF3N170400B7S 1700V SiC JFET
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货 UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF3N170400B7S JFET。
SiC FET是图腾象征吗？
图腾柱功率因数校正电路一直停留在想法阶段，人们不断寻找它的有效实施技术。现在，人们发现，SiC FET是能让该拓扑发挥最大优势的理想开关。
Qorvo®收购领先的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc. 今天宣布，已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅（SiC）功率半导体供应商UnitedSiC公司。对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车（EV）、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。
UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET
领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件，从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的需求。