跳转到主要内容
Toggle navigation
快讯
技术
新品
方案
博客
视频
直播
访谈
活动
登录
注册
TPM1R408RH
东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提升AI数据中心的效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。