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NSD2123
智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动,纳芯微推出110V半桥驱动芯片NSD2123
纳芯微全新推出110V半桥GaN驱动芯片NSD2123,具备智能自举充电控制、桥臂中点耐负压和抗干扰能力强、内置有源米勒钳位等特点,广泛适用于电源模块、同步整流、机器人、光储、音频功放等领域,以及Buck、Boost、LLC、HSC等各类硬开关或软开关拓扑。