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TW007D120E
东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货,该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统,同时也适用于可再生能源相关设备。