Transphorm
Transphorm推出六款可与e-mode设备实现引脚对引脚兼容的SuperGaN FET产品
全新的行业标准PQFN封装,轻松实现插拔式替换,d-mode GaN提供更佳性能
Transphorm 亮相 PCIM 2023 展会:卓越的 GaN 解决方案为电动汽车系统提供电源适配器
提供最广泛的功率范围:此次参展的全新 650 V Weltrend SuperGaN SiP 设计将揭示 1200 V SuperGaN 器件的设计资源
Transphorm发布采用Microchip数字信号控制器的3千瓦逆变器板,继续保持在高功率氮化镓领域的领先地位
评估板采用SuperGaN® FET和dsPIC® DSC模块,可简化并加速高压电源系统的开发
Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP
该系统级封装(SiP)氮化镓功率管可以为USB-C PD适配器和其它低功耗应用提供结构紧凑、具成本效益、快速面市的解决方案。
Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN系统级封装
系统级封装可以为USB-C PD适配器和其他低功耗应用提供结构紧凑、经济实惠、快速面市的解决方案
全球笔记本电脑制造商前三强的65W USB-C PD GaN电源适配器采用Transphorm技术
产品拆解显示惠普65W USB-C PD/PPS双输出电源适配器采用Transphorm SuperGaN® FET技术
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计,该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管
目前,同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装,电源能够以更低的成本获得功率密度优势。