Transphorm

Transphorm宣布推出低成本的SuperGaN FET驱动器解决方案
Transphorm FET利用简单的半桥门驱动器实现高达99%的效率，验证了在超过一千瓦的宽广功率范围内具有成本效益的设计方案
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统
Transphorm获得National Security Technology Accelerator价值1500万美元的合同
ECLIPSE项目旨在建立先进氮化镓外延片材料的生产和供应机制；标志着Transphorm在技术开发方面再次获得政府合同
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
该器件使Transphorm的创新常关氮化镓平台用于新一代汽车和三相电力系统成为可能
Transphorm推出六款可与e-mode设备实现引脚对引脚兼容的SuperGaN FET产品
全新的行业标准PQFN封装，轻松实现插拔式替换，d-mode GaN提供更佳性能
Transphorm 亮相 PCIM 2023 展会：卓越的 GaN 解决方案为电动汽车系统提供电源适配器
提供最广泛的功率范围：此次参展的全新 650 V Weltrend SuperGaN SiP 设计将揭示 1200 V SuperGaN 器件的设计资源
Transphorm发布采用Microchip数字信号控制器的3千瓦逆变器板，继续保持在高功率氮化镓领域的领先地位
评估板采用SuperGaN® FET和dsPIC® DSC模块，可简化并加速高压电源系统的开发
Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP
该系统级封装(SiP)氮化镓功率管可以为USB-C PD适配器和其它低功耗应用提供结构紧凑、具成本效益、快速面市的解决方案。
Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN系统级封装
系统级封装可以为USB-C PD适配器和其他低功耗应用提供结构紧凑、经济实惠、快速面市的解决方案
全球笔记本电脑制造商前三强的65W USB-C PD GaN电源适配器采用Transphorm技术
产品拆解显示惠普65W USB-C PD/PPS双输出电源适配器采用Transphorm SuperGaN® FET技术