SK keyfoundry

SK keyfoundry推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)工艺
韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry今日宣布推出具备业界领先高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)电容工艺。
SK keyfoundry携手LB Semicon联合开发Direct RDL，推动半导体封装技术升级，强化汽车高性能芯片竞争力
韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry今日宣布，该公司已携手LB Semicon成功联合开发基于8英寸晶圆的关键封装技术Direct RDL（重布线层），并完成了可靠性测试。