SK keyfoundry

SK keyfoundry成功开发450V-2300V SiC平面MOSFET工艺平台，斩获1200V新品订单，正式开启SiC业务全面布局
成功开发450V-2300V SiC平面MOSFET工艺平台，确保高可靠性与良率竞争力
SK keyfoundry推出第四代200V高压0.18微米BCD工艺，加速进军汽车及AI功率半导体市场
韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry近日宣布，其第四代200V高压0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工艺已正式推出，并将与国内外主要客户启动全面的产品开发，目标是在年内实现量产。
SK keyfoundry推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)工艺
韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry今日宣布推出具备业界领先高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)电容工艺。
SK keyfoundry携手LB Semicon联合开发Direct RDL，推动半导体封装技术升级，强化汽车高性能芯片竞争力
韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry今日宣布，该公司已携手LB Semicon成功联合开发基于8英寸晶圆的关键封装技术Direct RDL（重布线层），并完成了可靠性测试。