DRAM

当地时间周二，美国存储芯片及存储解决方案提供商美光科技宣布，将斥资8000亿日元(约合70亿美元)在其位于广岛的日本生产基地建新工厂。

SK海力士宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。

今日，三星宣布已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14纳米（nm）DRAM。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。

根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，第三季生产旺季后，DRAM的供过于求比例于第四季开始升高。此外，除了供应商库存水位仍属相对健康外，基本上各终端产品客户手中的DRAM库存已超过安全水位，此将削弱后续的备货意愿。

在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中，我们将为大家呈现，如何利用SEMulator3D研究先进DRAM工艺中存在的AA形状扭曲和与之相关的微负载效应与制造变量。

2021 年 3 季度的 PC DRAM 合约价格谈判，已基本尘埃落定。在供应商低库存和采购旺季到来的情况下，当季合约价环比上涨了 3~8% 。

韩国计算机硬件公司SK海力士（SK Hynix）已于3月开始为智能手机生产LPDDR5移动DRAM。该公司的LPDDR5移动DRAM是目前市场上唯一能够提供移动行业最大容量的DRAM，它会被安装在高端的移动智能手机上，可以应对高分辨率和高质量的视频拍摄和回放。

作为业内领先的嵌入式存储器制造商之一，创见（Transcend）刚刚刷新了面向工业应用的高性价比固态硬盘产品线。