DRAM

SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM
SK海力士宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。
三星14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产
今日，三星宣布已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14纳米（nm）DRAM。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。
下半年DRAM价格预测：第四季将转跌3~8%！
根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，第三季生产旺季后，DRAM的供过于求比例于第四季开始升高。此外，除了供应商库存水位仍属相对健康外，基本上各终端产品客户手中的DRAM库存已超过安全水位，此将削弱后续的备货意愿。
2020年前十大DRAM模组厂排名、营收及市占对比 金士顿登顶
根据TrendForce集邦咨询表示，2020年受到疫情带动宅经济效应，笔电与桌机出货皆较2019年大幅增加，其中笔电出货去年成长幅度高达26%，进而带动DRAM颗粒的需求。
2021年第二季DRAM涨幅扩大，原厂出货优于预期
根据TrendForce集邦咨询调查显示，第一季 DRAM价格正式反转向上后，需求端为避免陷入后续价格更高及货源不足的情况，于第二季加大采购力道。除了笔电持续受惠于远距办公与教学使动能稳健外；云端服务器业者的备库存需求亦逐步回温。
微结构不均匀性（负载效应）及其对器件性能的影响：对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究
在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中，我们将为大家呈现，如何利用SEMulator3D研究先进DRAM工艺中存在的AA形状扭曲和与之相关的微负载效应与制造变量。
TrendForce预计2021年4季度PC DRAM合约价或下跌5%
2021 年 3 季度的 PC DRAM 合约价格谈判，已基本尘埃落定。在供应商低库存和采购旺季到来的情况下，当季合约价环比上涨了 3~8% 。
SK海力士开始生产面向移动平台的LPDDR5 DRAM
韩国计算机硬件公司SK海力士（SK Hynix）已于3月开始为智能手机生产LPDDR5移动DRAM。该公司的LPDDR5移动DRAM是目前市场上唯一能够提供移动行业最大容量的DRAM，它会被安装在高端的移动智能手机上，可以应对高分辨率和高质量的视频拍摄和回放。
创见发布无DRAM缓存的嵌入式固态硬盘产品线
作为业内领先的嵌入式存储器制造商之一，创见（Transcend）刚刚刷新了面向工业应用的高性价比固态硬盘产品线。
入局主流存储市场，兆易创新首款自有品牌DRAM产品正式发布
兆易创新GigaDevice 今日宣布，首款自有品牌4Gb DDR4产品——GDQ2BFAA系列现已量产，实现了从设计、流片，到封测、验证的全国产化，在满足消费类市场强劲需求的同时，助力国产自主供应生态圈的发展构建。