AONC68816

新款 MOSFET 专为满足高功率密度及增强型散热应用而设计，采用 DFN 3.3x3.3 双面散热、源极朝下（Source-down）封装，并集成了创新的栅极中置布局技术，能够有效简化 PCB 走线设计，提升系统布板灵活性与电气性能。