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智能功率模块IPM的结温评估

本文详细叙述了实际使用时对IPM模块的各种结温的计算和测试方法,从直接红外测试法,内埋热敏测试,壳温的测试方法,都进行详细说明,以指导技术人员通过测量模块自带的Tntc的温度估算或测试IPM变频模块的结温,然后利用开发样机测试结果对实际产品进行结温估算标定,评估IPM模块运行的可靠性。

英飞凌发布第三季度财报,营收在艰难的供应局面中逆势上扬

英飞凌科技股份公司发布了2021财年第三季度(截至2021年6月30日)的业绩数据。盈利和自由现金流势头良好,营收在艰难的供应局面中逆势上扬,预计最后一季度业绩将继续表现强劲。

英飞凌推出全新650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列,提供优异效率

近日,英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合,具有650 V阻断电压。

英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET功率模块,助力提升功率密度和实现更紧凑的设计

近日,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷

全球碳中和趋势加速,特高压建设火力全开

当前,发展绿色经济,降低碳排放,已成为全球共识。在国家“30·60”碳达峰、碳中和的目标愿景下,改变以化石能源为主的能源结构,促进能源体系向清洁低碳转型,是大势所趋和必经之路。根据国家能源局的规划,尤其是十四五时期,以风电、光伏和水电为代表的新能源和可再生能源将迎来高比例发展,成为能源增量的主体。

快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”,落地这一领域可每年省电40亿度

众所周知,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体,相较传统的硅材料半导体,具备许多非常优异的特性,如高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等。

助力电动出行和能效提升:英飞凌赋能大众ID.4全美之旅

为了展示电动汽车的出色动力和便捷性,大众汽车美国公司与长途驾驶专家Rainer Zietlow合作,于近日在弗吉尼亚州赫恩登的大众汽车美国总部开启了大众ID.4美国之旅。作为汽车、能源效率和物联网半导体的全球领先供应商,英飞凌科技股份公司为全新大众ID.4提供了50多款半导体器件支持,助力高能效的电动汽车和充电基础设施。

英飞凌推出业界首款支持更大功率的USB PD 3.1高压微控制器

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出业界首款支持USB Power Delivery(USB PD)3.1的高压微控制器(MCU)。

英飞凌和IDEX Biometrics推出生物识别智能卡平台,具备优异性能、可扩展且符合成本效益的可制造性

近期,一份由ABI Research*发表的研究报告预测,在乐观的条件下,全球生物识别支付卡市场在2025年将达到3.53 亿张。为能够帮助支付卡制造商满足不断成长的新兴市场,全球智能卡支付解决方案领导厂商英飞凌科技股份有限公司携手先进指纹识别与验证解决方案领先供应商IDEX Biometrics ASA 推出新一代生物识别智能卡架构的参考设计。

英飞凌推出业界首款面向航天级FPGA的符合QML-V标准的抗辐射NOR闪存

航天级可编程逻辑器件(FPGA)需要包含其引导配置的可靠的高容量非易失性存储器。为满足对高可靠性存储器日益增长的需求,英飞凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC近日宣布推出业界首款高容量抗辐射(RadTol)NOR闪存产品,该产品通过了MIL-PRF-38535 QML-V流程认证。QML-V流程是航天级IC的最高质量和可靠性标准认证。