CMOS

CMOS数字隔离优势揭秘

最近,作为芬兰阿尔托大学一项研究的一部分,一项关于Silicon Labs隔离器的研究引起了我的注意。这项研究是Mikael Lumio先生的硕士毕业项目的一部分。该研究的结果很有趣,也是最全面,独立的隔离性能研究之一。Lumio先生介绍了基于CMOS的隔离技术的一些问题。

在他的论文中,他比较了不同类型的CMOS隔离和传统的光耦合器解决方案。分析中包括基于电容的隔离器(SiliconLabs的技术),基于感应(变压器)的隔离器和基于磁阻的隔离器。对于许多规格,基于电容的解决方案优于其他技术。与光耦合器相比,Lumio先生的分析清楚地显示了基于CMOS的隔离在共模瞬态抗扰度(CMTI),每通道电流消耗,数据速率,偏移和其他定时规范方面的优势。

除了比较数据表外,Lumio先生还比较了隔离性能。Lumio先生的论文做出了很好的工作,描述了国际认证机构通常规定的不同隔离参数。然后,论文使用这些描述来比较不同的CMOS隔离技术。对于所有技术,隔离功能与传统光耦器件相当。唯一落后的参数是浪涌冲击抗扰度,但基于CMOS的隔离器正在迅速追赶。