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东芝Visconti™4图像识别处理器为DENSO的前置摄像头主动安全系统提供支持

东芝电子元件及储存装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)今日宣布,株式会社电装(DENSO)将在其新一代基于前置摄像头的主动安全系统中部署东芝最新的专门面向汽车应用的图像识别处理器——Visconti™4。Visconti™4是领先的多引擎道路安全解决方案,其为司机提供道路状况和潜在危险的实时分析。

电子系统在驾驶中发挥日益重要的核心作用,包括先进驾驶员辅助系统和对自动驾驶汽车的支持,尤其是在促进道路安全方面。由具有影响力的欧盟新车安全评鉴协会(Euro NCAP)发布的最新版欧盟安全标准增添了评估防撞功能方面的标准,以提高对自行车骑行者和行人的保护。

Visconti™4图像识别处理器配有八个媒体处理引擎,支持其同时执行八个应用程序。其可以检测和分析由摄像头产生的图像并分析行车道;停泊和移动的附近车辆;交通标志和道路标识;迎面而来车辆的前照灯;以及最脆弱的道路使用者:自行车骑行者和行人。

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东芝即将开始用于可穿戴应用的ApP Lite™处理器系列集成电路的量产

东芝电子元件及储存装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)今天宣布TZ1201XBG已开始量产,TZ1201XBG是该公司适用于可穿戴装置等物联网(IoT)设备的ApP LiteTM应用处理器系列的最新成员。 

小型TZ1201XBG图形处理器基于高性能32位ARM® Cortex®-M4F处理器构建,能够以96MHz频率运行(带超速传动系统时最高可达120MHz)。ARM核与片上电源管理的结合,让TZ1201XBG在主动模式下的功耗低至70μA/MHz。借助350mAh蓄电池和常亮显示(always-on display),这款产品可在秒针表示应用中实现充电间隔约为一个月——而在分针表示应用中则为两个月。

TZ1201XBG配有2.2MB嵌入式高速静态随机存储器(SRAM)、高级液晶显示(LCD)控制器和2D图形加速器,提供强大的平台,可用于α混合(alpha-blending)、绘制、旋转、纹理处理和调整图像大小,以及在运行过程中实时进行(on-the-fly)颜色转换。这款全功能处理器可为每秒30帧(fps)的HVGA (480x320)显示或高达每秒60帧的QVGA显示(320x240)提供集成支持。

东芝正式加入云体系联盟

2017年7月6日,在主题为“智能商业未来进化”的XWorld大会上,东芝与紫光互联科技有限公司、国家计算机病毒应急处理中心、启迪数字天下、平安科技、百分点集团等机构和企业,正式被授予“中国云体系产业创新战略联盟”理事单位。

中国云体系产业创新战略联盟是我国首个以云网端体系为核心理念的国家级联盟,也是中国网络强国战略的重要支持单位。联盟由清华大学、北京大学、国家信息中心、工信部国际经济技术合作中心、工信部第五研究所、中国电子信息产业发展研究院、商务部WTO研究会、中国互联网络信息中心和微软公司等机构和企业联合发起,秉承推动与促进中国云体系产业的自主创新和国际合的宗旨,跨领域跨地域的整合各类社会资源,全方位拓展自主创新和协同发展空间,带动相关领域生态系统的构建与联动,实现联盟成员间以及中国网信产业的互利共赢与科学发展!联盟成立以来,促成国际云安全联盟CSA(Cloud Security Alliance)落地中国,促进微软Azure云与世纪互联合作在中国合法合规运营,成立智慧城市创新中心和城市治理创新中心,参与和推动中国网络安全法落地,对中国云产业的创新发展和国际合作起到了重大推动作用。

东芝推出具有2.5A峰值输出电流、采用低高度封装的栅极驱动光电耦合器

东芝公司(TOKYO: 6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封装的新型栅极驱动光电耦合器“TLP5832”。该产品提供2.5A峰值输出电流,可直接驱动中级IGBT。出货即日启动。

新IC采用SO8L封装,封装高度比东芝采用SDIP6和DIP8(LF1选项)封装的现有产品降低约54%,可为封装高度有限的电路板安装提供支持,同时有助于实现芯片组小型化。尽管尺寸小,但是该IC可保证爬电距离和至少8mm的电气间隙,使其适合需要高隔离性能的应用。

此外,该新型栅极驱动光电耦合器可在–40至+110摄氏度的全部工作温度范围内保证传输延迟和传输偏差。可通过降低温度裕度实现逆变器电路的高效设计。

根据2015年和2016年的销售额,Gartner最新市场报告肯定了东芝作为光耦合器领先制造商的地位。2016财年,东芝相关产品占有23%的销售市场份额。(资料来源:Gartner, Inc.“市场份额:2016年全球半导体设备和应用”,2017年3月30日。)

东芝将根据市场趋势促进多样化光电耦合器和光继电器产品组合的开发,继续提供满足客户需求的产品。

 

应用场合

东芝全球首发QLC闪存:寿命与TLC一样耐用

东芝日前发布了全球首个基于QLC(四比特单元) BiCS架构的3D NAND闪存芯片,64层堆叠封装,单颗容量可以做到768Gb(32GB),可以带来容量更大、成本更低的SSD产品。不过随着NAND闪存技术的发展,寿命和耐用性一直是个让人忧虑的问题。

NAND闪存目前已经发展出了四种形态:SLC单比特单元,性能最好,寿命最长,但成本也最高;MLC双比特单元,性能、寿命、成本比较均衡,目前主要用于高端和企业级产品;TLC三比特单元,成本低,容量大,但寿命越来越短;QLC四比特单元,自然延续了这一趋势。

事实上,经过厂商不断的改进,TLC技术已经十分成熟,无论性能还是寿命都可以满足日常消费甚至企业级应用,目前几乎绝大多数消费级SSD都在用它。

QLC闪存由于采用了四比特设计,每个单元内都有多达16种不同的电压状态,相比TLC又翻了一番,而且又不能把单元面积做的太大,因此控制难度急剧增大。

另外为了避免读写错误,主控搭配QLC闪存时也必须支持更高级的ECC,东芝就发展了自己的QSBC纠错技术,号称比TLC设备上常用的LDPC更加先进。

最关键的来了:东芝宣称,他们的QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环,大大高于业界此前几年预计的100-150次,几乎已经和TLC闪存相当了!

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东芝存储器公司开发出世界首款QLC 3D闪存

存储器解决方案全球领导者东芝存储器公司今日宣布开发出世界首款[1]采用堆叠式结构的BiCS FLASH™三维(3D)闪存[2]。最新的BiCS FLASH™设备是首款采用4位元(四阶存储单元,QLC)技术的闪存设备,该技术使闪存设备的存储容量较3位元(TLC)设备进一步提高并推动了闪存技术创新。 

多位元内存通过管理每个独立存储单元中的电子数目来存储数据。实现QLC技术带来一系列技术挑战,在相同电子数目下位元数目每增加一个,需要两倍于TLC技术的精度。东芝存储器公司利用其先进的电路设计能力和行业领先的64层3D闪存工艺技术,创造出QLC 3D闪存。

该原型机采用64层3D闪存工艺技术,具有世界最大的裸芯片容量[3](768千兆比特/96 GB)。原型机已于6月初发往固态硬盘和固态硬盘控制器厂商处进行评价和开发。

QLC 3D闪存还在单一封装内实现了具有16颗粒堆叠式结构的1.5TB存储设备,这是业界最大存储容量[4]。这一开创性设备的样品将于8月7-10日在美国加州圣克拉拉举行的2017年闪存峰会上亮相。

东芝存储器公司宣布推出96层3D闪存

东芝存储器公司第四代BiCS FLASH™层数增加,存储容量提高

存储器解决方案全球领导者东芝存储器公司今日宣布,公司已开发出采用堆叠式结构[1]的96层BiCS FLASH™三维(3D)闪存的原型样品,该产品采用三位元(三阶存储单元,TLC)技术。该96层新产品为256千兆比特(32GB)设备,其样品预计将于2017年下半年发布,批量生产计划于2018年启动。

该新设备满足企业级和消费级SSD、智能手机、平板电脑和存储卡等应用的市场需求和性能规范。

未来,东芝存储器公司将在不久的将来在其512千兆比特(64GB)等较大容量产品中应用其新的96层工艺技术和4位元(四阶存储单元,QLC)技术。

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东芝存储器公司将投资位于四日市生产基地6号晶圆厂的生产设施

东芝公司(TOKYO:6502)今日宣布,公司董事会在今日召开的会议上已就其全资子公司东芝存储器公司(TMC)2017财年的投资方案达成一致意见,将向东芝存储器公司的闪存工厂——位于四日市生产基地的6号晶圆厂(Fab 6)投资约1800亿日元。该笔投资将涵盖该晶圆厂1期生产设施的安装和2期的施工建设。 

6号晶圆厂将专门负责生产东芝创新3D闪存——BiCS FLASH™。如东芝于2017年2月9日发布的新闻稿“东芝位于日本四日市的6号晶圆厂和内存研发中心正式开工建设”中所详述,该晶圆厂1期预计将于2018年夏季竣工,而当前一轮投资将确保满足这一目标竣工日期。数据中心和企业服务器对闪存的需求预计将出现持续的强劲增长,这将加速市场对3D闪存的需求。这一认知引导董事会做出了今天的决策。

对6号晶圆厂的投资将使东芝存储器公司能够安装96层3D闪存的制造设备,包括沉积和蚀刻设备。与此同时,6号晶圆厂2期计划于今年9月开工建设,目标竣工日期为2018年底。具体的产能和生产进度计划将根据市场需求确定。

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