大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手全球功率半导体龙头意法半导体（ST）成功举办“ST Power & Energy高性价比GaN产品与电源应用”线上专题研讨会。本次会议聚焦氮化镓（GaN）前沿功率技术与解决方案，并深度解析材料特性、器件性能、系统架构优化及供应链升级成果，以及ST与英诺赛科合作后在产品成熟度提升、成本优化方面的突破，为消费电子、AI算力、工业控制、...
GaN
随着5G通信、点对点微波传输、仪器测试等射频系统向宽频带、高功率、高效率方向发展，功率放大器作为发射链路的核心器件，其性能直接影响系统的覆盖能力与能耗表现。合肥芯谷微电子依托0.25um功率GaN HEMT工艺，推出两款高性能内匹配功率放大器——IMPA020060P50（2~6GHz）与IMPA090100P51（9~10GHz）。其中IMPA020060P50内置偏置电路与隔直电容。...
随着相控阵雷达、电子对抗与微波回传向高频段、高集成、高可靠演进，射频前端对功率、效率提出更高要求。泊微科技同步推出两款 Ku 波段GaN功率放大器芯片，覆盖12 GHz–18.5 GHz频段，为射频系统提供稳定、高效、易用的核心器件方案。新品・核心参数一览型号BPA-1218-41:·工作频段：12–18.5GHz·饱和输出功率：≥41.5dBm·功率附加效率：43%-55...
作为InnoMux-2产品系列的一员，这款目前全球少有的1700V氮化镓(GaN)开关IC，极大地拓展了GaN技术的应用范围。PI最新发布的两份白皮书，深入分析了1700V GaN器件如何在多路输出反激式电源中实现效率与功率密度的最大化：采用自适应零电压开关的1700V GaN开关在多路输出反激式变换器中的应用采用1700V GaN开关的双路输出反激式电源的效率与输出调整精度优化依托Power...
交钥匙电路板和文档资料，降低物料成本，加快产品上市意法半导体 EVSTDRVG611MC氮化镓(GaN)电机控制参考设计主打家电和工业驱动设备，在不加装散热器的条件下输出功率可达600W以上，确保终端设备结构紧凑，同时降低物料成本。该参考设计是一个交钥匙开发板，即插即用，上电后即可开始评测，板载意法半导体 STDRIVEG611GaN 栅极驱动芯片、分立式 GaN 功率晶体管和混合信号微控制器...
首款具备直流阻断功能的双向GaN技术，可大幅减少功率转换拓扑结构所需的开关数量兼容标准栅极驱动器支持软切换与硬切换模式，实现快速、干净的过渡全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出业界首款采用耗尽型（d-mode）氮化镓（GaN）技术的双向开关——TP65B110HRU：该产品能够在单一器件中阻断正负电流的功能。该款器件主要应用于单级太阳能微型逆变器、人工智能（AI）...
面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器意法半导体推出了MasterGaN系列氮化镓功率开关管半桥的第二代产品MasterGaN6 ，该功率系统级封装(SiP)在一个封装内集成新的 BCD 栅极驱动器和导通电阻(RDS(on))仅140mΩ的高性能 GaN 功率晶体管。依托意法半导体MasterGaN系列业已建立的高集成度优势，MasterGaN6进一步扩大了产品功能，...
前言在追求高效能与高功率密度的现代电力电子领域，氮化镓（GaN）技术正引领着一场深刻的变革。为应对快速充电、数据中心能源、绿色照明及工业电源等应用对开关频率、效率与可靠性的严苛要求，集成化、智能化的功率半导体解决方案已成为行业发展的关键。值此之际，氮矽科技正式推出其新一代高压GaN功率集成芯片 DXC650S1K2H。产品概述DXC650S1K2H 是一款高度集成的氮化镓驱动芯片，...
作者：James R. Staley，高级产品应用工程经理摘要为了提供正确的死区时间延迟，传统上是在控制器中内置固定的预设延迟，或通过外部元件进行一定程度的调整。这种调整需要充分考虑特定FET器件的特性，防止因过驱而造成损坏。这一调整过程可能非常耗时，而且难以准确衡量。为了优化导通和关断摆率与延迟，必须高度重视测量技术。精确的测量能够确保系统在实现最大功率输出的同时，将损耗降至最低，...
作者：Frederik Dostal，电源管理专家摘要本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望了GaN技术的未来。简介宽禁带技术在开关模式电源中越来越受欢迎。如果电路设计人员有兴趣在未来设计中使用这项相对较新的技术，...
太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统。GaN 不仅能提高太阳能系统的性能，也能提升整个系统的效率，此外，在保证缩小系统尺寸的同时，还能降低热损耗、易于安装和降低成本。比较 GaN、SiC 和 IGBTGaN...
全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科 (Innoscience，港交所：-2577.HK) 与全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc.（以下简称“Allegro”，纳斯达克股票代码：ALGM），宣布达成战略合作，推出一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了英诺赛科高性能氮化镓和 Allegro...
作者：意法半导体技术市场经理Ester Spitale意法半导体应用实验室经理Albert Boscarato来源：意法半导体GaN技术在不同应用中的优势满足日益增长的高能效和高功率性能的需求，同时不断降低成本和尺寸是当今功率电子行业面临的主要挑战。较新的宽禁带化合物半导体材料氮化镓 (GaN) 的引入代表功率电子行业在朝着这个方向发展，并且，随着这项技术的商用程度不断提高，...
安森美基于全新GaN-on-GaN技术，其垂直GaN架构为功率密度、能效和耐用性树立新标杆核心摘要随着全球能源需求因 AI 数据中心、电动汽车以及其他高能耗应用而激增，安森美推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关应用的功率密度、能效和耐用性树立新标杆。这些突破性的新一代 GaN-on-GaN 功率半导体能够使电流垂直流过化合物半导体，能实现更高的工作电压和更快的开关频率，助力AI 数据中心...
作者：安森美在科技演进浪潮中，能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器，从电动车到智慧城市，科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡，而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（...
本应用简报介绍 TI GaN 器件如何改进光伏充电控制器。与 MOSFET 相比，使用 TI GaN 器件可提高效率并减小 PCB 尺寸，而且不会增加 BOM 成本。电子电气设备快速发展，需要提供的功率比以往任何时候都大得多。对于许多家庭来说，要缩减电费支出或助力实现绿色可持续的未来，太阳能都是不错的选择，而半导体在其中发挥着重要作用。...
当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。GaN 可实现高频开关，这样可减小无源器件的尺寸，从而增加密度。与硅和碳化硅 (SiC) 之类的技术相比，GaN 还可降低开关、栅极驱动和反向恢复损耗，从而提高电源设计效率。您可以使用 650V GaN FET 进行 AC/DC 至 DC/DC 转换，或使用 100V 或 200V GaN FET...
微波单片集成电路(Microwave monolithic integrated circuit,MMIC)以其体积小、重量轻、一致性好和可靠性高等优点在微波毫米波领域得到了迅速的发展。基于氮化镓（GaN）技术的单片集成功率放大器芯片（MMIC PA）凭借其高功率密度、宽频带、高效率等优势，成为5G通信、雷达、卫星通信、电子战等领域的核心器件。GaN MMIC PA采用先进的异质结HEMT结构，...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN™ G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管在硬开关应用中，...
作者：Frederik Dostal，电源管理专家摘要在开关模式电源中使用GaN开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了GaN作为硅的替代方案在开关模式电源中的未来前景。如今，电源管理设计工程师常常会问道：现在应该从硅基功率开关转向GaN开关了吗？氮化镓(GaN)技术相比传统硅基MOSFET有许多优势。...
ICeGaN HEMT 和IGBT 的并联组合降低了成本、实现高效率无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices（CGD）开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，使更加环保的电子产品非常易于设计和运行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解决方案使 CGD 利用其 ICeGaN® 氮化镓（GaN）技术满足100kW 以上的电动汽车动力系统应用，...
在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）一直站在创新前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的所有相关半导体材料大幅推动低碳化和数字化领域的发展。CoolGaN英飞凌在其 《2025年GaN功率半导体预测报告》中强调，GaN将成为影响游戏规则的半导体材料，它将极大改变大众在消费、交通出行、...
人们对更小、更高效电源的需求不断增长，进而推动着基于氮化镓 (GaN) 的功率级快速普及。在交流/直流适配器市场中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式转换器，通过功能越来越强大但尺寸越来越小的适配器，帮助扩大 USB Type-C® 接口的市场规模。虽然这令人振奋，但与此同时，电源设计人员必须降低系统成本和复杂性。借助反激式转换器设计中的最新创新成果，无需使用辅助绕组即可实现器件偏置（无辅助绕组...
德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术，现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品新闻亮点：德州仪器增加了 GaN 制造投入，将两个工厂的 GaN 半导体自有制造产能提升至原来的四倍。德州仪器基于 GaN 的半导体现已投产上市。凭借德州仪器品类齐全的 GaN 集成功率半导体，能打造出高能效、高功率密度且可靠的终端产品。德州仪器已成功开展在 12 英寸晶圆上应用 GaN 制造工艺的试点项目...
凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平【2024年9月11日，德国慕尼黑和奥地利菲拉赫讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今天宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）...
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (TOKYO: 4063)（总部：东京；总裁：Yasuhiko Saitoh；以下简称“Shin-Etsu Chemical”）创建了专门用于氮化镓(GaN)外延生长的300毫米（12英寸）QSTTM衬底，并于最近开始供应样品。Shin-Etsu Chemical已经在出售150毫米（6英寸）和200毫米（8英寸）...
该白皮书探讨了德州仪器的 DRV7308 三相 GaN 智能电源模块 (IPM) 如何持续助力提高电器和 HVAC 系统电机驱动器的功率密度、电力输送能力和效率，同时节省系统成本并提高可靠性。本白皮书重点讨论了使用基于氮化镓 (GaN) 的电源开关对电机驱动器效率提升的作用以及注意事项：GaN...
当今的大型家用电器市场与能源效率和“能源之星”认证等相关品牌推广息息相关。消费者期望这类终端设备（如冰箱或暖通空调 (HVAC) 系统）具备出色的能效和产品可靠性。在本文中，我们将探讨氮化镓 (GaN) 和无刷直流 (BLDC) 电机系统的结合如何帮助提高消费者的生活水平。图 1 所示为注重能效的典型家用电器。图 1 线路供电的家用电器和 HVAC 电机驱动器应用冰箱和 HVAC...
韩国8英寸晶圆代工厂SK启方半导体（SK keyfoundry）今日宣布，已确保新一代功率半导体GaN（氮化镓）的关键器件特性。公司正在加大GaN的开发力度，力争在年内完成开发工作。SK启方半导体持续关注着GaN功率半导体的市场和潜力。为此，公司于2022年成立了一个专职团队来推动GaN工艺的开发。日前，公司已得到650V GaN HEMT的新器件特性，并计划在今年年底完成开发工作。由于650V...
采用新型热阻增强封装的P2系列表现出超高的电气性能，支持具有挑战性的高功率应用，坚固可靠无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出采用新颖的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN™ GaN 功率 IC ，将 GaN 的优势提供给数据中心、逆变器...
评估套件具有Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和CGD 易于使用的ICeGaN GaN 功率 IC 的性能Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效氮化镓（GaN） 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 正在与全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克股票代码：QRVO）合作开发...
增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展，以应对电动汽车、数据中心、人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）...
专用隔离式栅极驱动器推动数据中心、可再生能源和电动汽车领域快速采用先进的GaN半导体Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）是坚固耐用GaN功率半导体领域的全球领先企业，Allegro MicroSystems, Inc.（以下简称“Allegro”，纳斯达克股票代码：ALGM）是运动控制和高能效系统领域功率和传感半导体技术的全球领先企业，这两家公司今天宣布开展合作，...
拥有系统和应用、研究和设备方面的专业知识，可生产创新、高性能的基于 GaN 的笔记本电脑和数据中心电源产品Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 与台湾群光电能科技有限公司（TWSE：6412）和英国剑桥大学技术服务部 (CUTS) 签署了三方协议，共同设计和开发使用...
三种新器件为基于SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常关D模式平台优势，该系统要求在紧凑的占地面积内以较低的热阻获得更高的可靠性及性能Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是强大的GaN功率半导体（下一代电力系统的未来）领域全球领先的企业。该公司今天推出了三款TOLL封装的SuperGaN®FET，其导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。...
开创性的太阳能电池板系统通过使用Transphorm极其先进的GaN设备，以更小、更轻的外形尺寸提供更高的性能和效率强大GaN功率半导体是新一代电力系统的未来，该领域的全球领导者Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日宣布，其GaN平台为DAH Solar Co., Ltd.（Anhui Daheng New Energy Technology Co.,...
Capability与Yaskawa Electric Corporation合作，充分发挥Transphorm常关平台的根本优势GaN功率半导体代表下一代电力系统的未来，此领域的领导企业Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）宣布，该公司借助专利技术在GaN功率晶体管上演示出高达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。这是有记录以来首次实现此类成就，标志着整个行业的一个重要里程碑。...
全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展，泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自动可重复的、高精度测量功能。下一代功率转换器设计师现在能够利用WBG-DPT解决方案，满怀信心地迅速优化自己的设计。WBG-...
该器件使Transphorm的创新常关氮化镓平台用于新一代汽车和三相电力系统成为可能Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是提供卓越的高效能氮化镓(GaN)功率半导体产品的全球领军企业。公司今天宣布推出其1200伏场效应晶体管仿真模型及初步数据表。TP120H070WS场效应晶体管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，...
• 提供最广泛的功率范围：此次参展的全新 650 V Weltrend SuperGaN SiP 设计将揭示 1200 V SuperGaN 器件的设计资源• 观众将见证 SuperGaN 平台无可比拟的可靠性、效率和性能Transphorm, Inc. (纳斯达克代码：TGAN) 是一家提供高可靠性、高性能氮化镓 (GaN) 功率转换产品的领军企业和全球供应商。该公司宣布将在...
氮化镓正取代硅，越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、...
将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，...
系统级封装可以为USB-C PD适配器和其他低功耗应用提供结构紧凑、经济实惠、快速面市的解决方案Transphorm将参加2023年应用电力电子会议，展位号为853高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)与适配器USB功率输出(PD)控制器集成电路(IC)的全球领导者伟诠电子(Weltrend...
三芯片解决方案提供可配置的 GAN 偏置点自动校准移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出一款用于相控阵雷达的紧凑型三芯片电源解决方案。该三芯片解决方案提供可配置的 GaN 偏置点自动校准，使工程师能够在不改变电路板设计的情况下最大限度地提高不同 GaN 功率放大器 (PA) 的系统性能。Qorvo...
纳芯微全新推出GaN相关产品，包含GaN驱动NSD2621与集成化的Power Stage产品NSG65N15K，均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。其中，NSD2621是一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管；NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。...
公司的高压氮化镓(GaN)器件在各种功率级别的应用中持续提供一流的可靠性 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)发布了氮化镓功率场效应管(FET)的最新可靠性指标。可靠性采用失效率(FIT)来衡量，这种分析方式考虑了在应用现场使用时客户报告的故障器件数量。到目前为止，...
实现GaN业务产能落地 锐意创造全新盈利增长点宏光半导体有限公司（「宏光半导体」，连同其附属公司统称「集团」；股份代号：6908.HK）欣然宣布，集团近期已开始生产其自家6英寸氮化镓（「GaN」）功率器件外延片（「外延片」）。远早于预期时间表成功制造外延片为集团快速产业化及量产第三代半导体铺路，乃其转型成为第三代半导体GaN 供货商的重要成果，标志着集团迈向第三代半导体GaN商业化的里程碑。...
KYOCERA AVX和VisIC Technologies扩大合作，开展下一代电动汽车应用GaN技术开发结合KYOCERA AVX在分立和模块封装方面的领先地位以及VisIC在GaN功率器件方面的专业知识，提供尖端产品，包括用于领先电动汽车OEM和Tier 1牵引逆变器的最高效率功率模块。VisIC_TechnologiesVisIC Technologies是用于高压汽车应用的氮化镓（GaN...
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。不同类型的 GaN FET...
以高性能GaN器件应对能源管理挑战隶属于博世集团的罗伯特·博世创业投资公司（以下简称“博世创投”）已完成对广东致能科技有限公司（以下简称“致能科技”）的Pre-A轮投资。致能科技总部位于广州，是国内领先的氮化镓IDM(Integrated Device Manufacturer)公司。凭借其在氮化镓器件领域的丰富经验和创新技术，致能科技致力于研发新一代氮化镓功率器件，...