缓冲/存储技术

英特尔公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.，纽约证券交易所：MU）今天宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bpc）的多层单元（MLC）NAND技术试用产品。这些芯片最适合用于闪存卡和USB驱动器等消费存储设备，在这类应用场合中，高密度和性价比是首要考虑的问题。

美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营，美光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、其他半导体组件以及存储器模块，用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。美光公司普通股代码为MU，在纽约证券交易所（NYSE）交易。如需了解美光科技有限公司的详细情况，请访问： www.micron.com 。

凌阳集团以创立于 1990年的凌阳科技股份有限公司为首，专注于消费性电子应用领域的芯片设计。凌阳不仅设计芯片，也提供系统解决方案，致力为客户的每一项产品设计提供功能差异化与利润极大化。凌阳拥有完整、可重复使用之智能财产，诸如影音、微处理器、数字讯号处理器等IP，广泛应用于众多芯片产品中；2006年为因应公司经营规模日益扩张，逐步分割旗下事业单位为独立芯片设计公司：原TFT项目独立成为旭曜科技－专业液晶驱动与控制芯片设计；原控制与周边事业群独立成为凌阳创新科技－主要产品为计算机外设、储存设备、多功能事务机、家电等IC解决方案；原个人娱乐平台事业群与先端事业群独立成为凌阳电通科技－专注于个人娱平台产品，如MP3/MP4、数码相机、数字摄影机、多媒体播放机等IC解决方案；母公司凌阳科技则专注于家庭娱乐平台领域与IP核心智权开发，产品如DVD播放与录像、数字电视、DVR等家庭多媒体产品。如需了解公司概况，请访问凌阳集团母公司凌阳科技网址： www.sunplus.com

在NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求的双重帮助下，第二季NAND Flash平均销售价格（ASP）约上涨20% QoQ，整体NAND Flash出货量则增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收都较上一季成长，2009年第二季全球NAND Flash品牌厂商整体营收为27亿8千6百万美元，较上一季的20亿8千6百万美元成长33.6%QoQ。Samsung继续保持第一的位置。

日前，LSI 公司（NYSE: LSI）今天宣布推出基于6Gb/s SAS技术的新一代高性能 MegaRAID SATA+SAS RAID控制器。MegaRAID 9200系列控制器拥有创新的6Gb/s SAS产品特性，并且支持SATA、SAS和固态硬盘（SSD），可为中小企业提供卓越的 RAID 性能以及内部和外部存储的扩展性能。

创新点：新型 Mac OS X 驱动器为苹果用户的流媒体应用提供了高性能、高可靠性的硬件 RAID 保护功能
LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布为其 3ware® 9690SA 与 9650SE 系列 RAID 控制卡推出一款 Mac® OS X 驱动器。这些控制器使用户能够优化其直联存储环境中基于 Intel 的 Mac 服务器的读／写性能、增强数据保护并提高可扩展性，以满足数字视频、数字音频、电影、广播以及视频点播解决方案等众多流媒体应用需求。

FM25V02是Ramtron International Corporation推出的具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品，带有串行外设接口(SPI)，工作电压范围为2.0V至3.6V，采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay™)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点，是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256 Kb 串口闪存和串口 EEPROM存储器的兼容替代产品。

FM24V02是Ramtron International Corporation，推出的具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品，带有两线制接口(I2C)，工作电压范围为2.0V至3.6V，采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay™)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点，是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256 Kb 串口闪存和串口 EEPROM存储器的兼容替代产品。

非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation，发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品，分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号，工作电压范围为2.0V至3.6V，采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay™)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点，是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256 Kb 串口闪存和串口 EEPROM存储器的兼容替代产品。

为了准备在今年后半年针对嵌入式系统设计发布领先的新一代串行NOR闪存产品，恒忆（Numonyx）公司今天宣布为旗下整个串行产品线启用全新品牌：Numonyx® Forté™ 串行闪存。新品牌代表了该领域最全面和最灵活的串行闪存产品组合，可为消费电子产品、汽车电子、固话和无线通信应用的设计人员提供广泛的性能和存储密度。Numonyx Forté串行闪存品牌包括现有的标准嵌入式应用和汽车级串行NOR产品线，以及即将推出的采用恒忆65纳米先进制程的多I/O产品。

Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 RAM (SRAM) 引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统，以及各种基于SRAM的系统设计。

日前，LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布为其 3ware® 9650SE SATA RAID 控制卡推出一款新型控制器固件，它可为 Intel® X25-E Extreme SATA 固态驱动器 (SSD) 助一臂之力。此次固件升级旨在为服务器、存储系统以及高端工作站中的 Intel SSD 提供全面支持。

创新点：新存储器提供高速SPI和 I2C接口，把产品设计的密度扩展能力提高到 512-Kbit
意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）运用先进的非易失性存储技术，推出两款在当前市场上最高密度的采工业标准2 x 3 x 0.6mm 8-引脚微型引线框架封装（MLP）的512-Kbit器件，再度写下业界第一。新产品引脚兼容低密度的存储器，让设计人员无需重新设计电路板即可直接更换芯片，产品升级更快速、高效。

作者：MICHAEL YANG
曾经在移动存储市场受尽冷落，Multimedia Card (MMC)存储卡一路走来，终见曙光。供应商在早期的一些诺基亚移动手机中采用了MMC并取得了短暂的成功。之后，他们弃用其外插式设计，将这一技术改进成为内嵌式MMC (eMMC)，闪存和控制器集成在一个小的BGA封装中。

非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布，其4Mb F-RAM器件FM22L16已获深圳市盛博科技嵌入式计算机有限公司采用，以生产创新的数据存储设备—固态硬盘 (solid-state disk, SSD)。盛博科技专门研究、开发和生产基于国际标准的嵌入式硬件和软件系统，瞄准工业自动化市场，终端客户遍及轨道运输、电力、医疗设备和运动控制等应用领域。