泛林集团

每隔几个月就会有更新换代的电子产品问世。它们通常更小、更智能，不仅拥有更快的运行速度与更多带宽，还更加节能，这一切都要归功于新一代先进的芯片和处理器。

虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。

使用3D架构来支持先进逻辑和存储器应用代表了半导体行业下一个重要的技术拐点。非易失性存储首先实现了这一技术拐点，泛林集团的刻蚀和沉积工具持续走在这一创新的前沿。

新产品组合凭借创新的刻蚀技术和化学成分在竞争中脱颖而出，以支持先进逻辑和存储器解决方案的开发

Sense.i为刻蚀技术的未来设定步伐

随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展，泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战，以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。

近日，泛林集团发布了Syndion G系列产品的新成员——全新Syndion® GP。在本篇文章中，泛林集团客户支持事业部Reliant系统产品副总裁Evan Patton将为大家讲述该产品的开发背景。

进一步扩大公司在深硅刻蚀技术领域的领先优势，新的半导体制造方案支持用于汽车与智能技术的芯片开发

在本文中，我们将论述如何通过在SEMulator3D®中使用可视性刻蚀建模来弥补干法刻蚀这一方面的不足。

今日，全球领先的半导体创新晶圆制造设备及服务供应商泛林集团携全新的品牌形象及突破性技术亮相第四届中国国际进口博览会。