抢占第三代半导体商机,台厂积极投入氮化镓制程开发!

winniewei 提交于 周二, 05/26/2020
抢占第三代半导体商机,台厂积极投入氮化镓制程开发!

晶圆代工厂近来积极布局第三代半导体材料氮化镓(GaN),除龙头厂台积电已提供 6 吋 GaN-on-Si(硅基氮化镓)晶圆代工服务外,世界先进 GaN 制程也预计年底送样,联电同样积极投入 GaN 制程开发,携手子公司联颖布局高效能电源功率元件市场。

联电投入氮化镓制程开发,初期将以 6 吋晶圆代工为主

联电表示,GaN 制程开发是现有研发计画中的重点项目之一,目前与转投资公司砷化镓(GaAs)晶圆代工厂联颖合作,仍处于研发阶段,初期将以 6 吋晶圆代工服务为目标,未来也会考虑迈向 8 吋代工。

联颖是联电持股 81.58% 子公司,为其新投资事业群的一员,提供 6 吋砷化镓晶圆代工服务,终端产品应用领域包括手机无线通讯、微波无线大型基地站、无线微型基地台、物联网、国防航天、光纤通讯、光学雷达,及 3D 感测元件等。目前营运持续亏损,去年亏损 2.79 亿元,今年首季则亏损 861 万元。

台积电结盟意法半导体,抢攻电动车市场商机

目前包括台积电、汉磊投控集团的晶圆代工厂汉磊科,6 吋 GaN-on-Si 晶圆代工制程均已量产;台积电今年 2 月也宣布结盟意法半导体,意法将采用台积电的 GaN 制程技术,生产氮化镓产品,加速先进功率氮化镓解决方案开发与上市,携手抢攻电动车市场商机。

世界先进在 GaN 材料上已投资研发 4 年多,与设备材料厂 Kyma、及转投资 GaN 硅基板厂 Qromis 携手合作,着眼开发可做到 8 吋的新基底高功率氮化镓技术 GaN-on-QST,今年底前将送样客户做产品验证,初期主要瞄准电源相关应用。

文稿来源:钜亨网

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