东芝的新型100V N沟道功率MOSFET有助于降低汽车设备的功耗

winniewei 提交于 周三, 02/26/2020
东芝的新型100V N沟道功率MOSFET有助于降低汽车设备的功耗

推出采用东芝最新一代工艺的U-MOS X-H系列 

东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)发布“XK1R9F10QB”,这是一款100V N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于汽车的48V设备应用,例如负载开关、开关电源和电机驱动。出货即日启动。

这款新产品是东芝采用槽形结构的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款产品,采用该公司的最新[1]一代工艺制造。它采用低电阻TO-220SM(W)封装安装,提供业界领先的低导通电阻[2],最大导通电阻为1.92mΩ,与当前的“TK160F10N1L”相比下降约20%。这一进步有助于降低设备功耗。由于电容特性得到优化,它还提供更低的开关噪声,从而有助于降低设备的EMI[3]。 此外,将阈值电压宽缩小至1V,可以增强并联时的开关同步性。

应用场合
汽车设备(负载开关、开关电源和电机驱动等)

特性
・采用槽形结构的U-MOS X-H系列MOSFET
・业界领先的低导通电阻
  VGS=10V时,RDS(ON)=1.92mΩ(最大值)
・符合AEC-Q101要求

主要规格

(Ta=25°C时)

产品型号

极性

绝对最大额定值

漏源

导通电阻

RDS(ON)最大值

(mΩ)

沟道

到管壳的热阻

Zth(ch-c)

最大值

(℃/W)

封装

系列

漏源电压

VDSS

(V)

漏电流

(直流)

ID

(A)

电流

(脉冲)

IDP

(A)

沟道温度

Tch

(℃)

VGS

=6V时

VGS

=10V时

XK1R9F10QB

N沟道

100

160

480

175

3.31

1.92

0.4

TO-220SM(W)

U-MOS X-H

注:
[1] 截至2020年2月25日
[2] 与具有相同VDSS最大额定值和封装等级的产品进行比较; 根据东芝调查,截至2020年2月25日。
[3] EMI(电磁干扰)

如需获取有关新产品的更多信息,请点击以下链接。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/detail.XK1R9F10QB.html

如需获取有关东芝汽车用MOSFET的更多信息,请点击以下链接。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/automotive/automotive-mosfet.html

关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自2017年7月成为一家独立公司以来,公司已跻身领先的通用设备公司之列,并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。

公司遍布全球的2.4万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。公司期待在目前超过7500亿日元(68亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全球人类创造更加美好的未来。
有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多详情,请访问:https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20200224006003/en/

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