英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET

winniewei 提交于 周二, 02/18/2020
英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET

【2020年2月18日,德慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置是符合行业标准的全新封装概念英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆不仅通态电阻(RDS(on)降低还具有业内领先的热性能指标该产品适合的应用非常广泛包括马达驱动SMPS包括服务器电信OR-ing)和电池管理等等

新封装概念将源极而非传统的漏极与导热垫相连除了实现新的PCB布局这还有助于实现更高的功率密度和性能目前推出的两个型号占板面积不同它们分别是:源极底置,标准门极布局的PQFN 3.3x3.3 mm封装;及源极底置,门极居中的PQFN 3.3x3.3 mm封装源极底置,标准门极布局的封装是基于当前的PQFN 3.3x3.3 mm引脚分配布局电气连接的位置保持不变方便将如今标准的漏极底置封装简单直接地替换成新的源极底置封装在门极居中的封装中门极引脚被移到中心位置以便于多个MOSFET并联。由于漏-源极爬电距离增大多个器件的门极可以连接到同一层PCB此外将门极接口移到中心位置还能使源极面积增大从而改进器件的电气连接

这一技术创新可使RDS(on)相比现有技术大幅减小减幅最高达到30%。相比现有的PQFN封装-壳热阻(RthJC也得到大幅改进由于寄生效应降低PCB损耗改进以及热性能优异新封装概念可为任何当代的工程设计带来巨大的附加价值

供货情况

基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的两种OptiMOSTM源极底置25 V功率MOSFET现在都能供货更多信息可访问www.infineon.com/pqfn-3-source-down

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司,我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2019财年(截止9月30日),公司的销售额达80亿欧元,在全球范围内拥有约41,400名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约2000名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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