村田旗下pSemi CEO在2019国际RF-SOI论坛分享RF-SOI设计创新

张国斌 提交于 周二, 09/17/2019
村田旗下pSemi发分享RF-SOI设计创新

在今天举行的2019国际RF-SOI论坛上,Murata company(日本村田)旗下子公司pSemi™ Corporation(曾用名Peregrine Semiconductor,以下简称pSemi)的CEOJim Cable分享了pSemi™ 在过去30余年RF-SOI上的设计创新。

pSemi 前身是Peregrine Semiconductor,被村田收购后更名为pSemi ,在过去30多年里,pSemi创下许多业界‘第一’,包括 CMOS 开关、SOI 功率放大器和 mmWave 波束成形等,pSemi围绕绝缘体上硅(SOI)在射频开关和天线调谐器领域进行了大量颠覆性创新,目前的产品组合涵盖电源管理,连接传感器,光收发器,天线调谐,功率放大器和集成RF前端等。

三十多年前,pSemi开创了UltraCMOS技术,取代GaAs PHEMT成为手机开关的首选工艺。每一代UltraCMOS都改进了Ron*Coff品质因数,这是RF开关的关键性能指标。降低Ron可降低插入损耗,降低Coff可在开关关闭时改善开关隔离性能。2017年1月推出的UltraCMOS 12的RonCoff达到了80 fs。

在2019年国际微波研讨会期间,pSemi宣布推出UltraCMOS13,这是其在GlobalFoundries的300毫米晶圆厂上开发的下一代专有RFSOI工艺。 UltraCMOS 13专为改善低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA)性能而量身定制,可提高集成前端组件的性能。UltraCMOS 13保持了上一代的RonCoff和Fmax性能,同时降低了LNA的NFmin,降低了PA的FET漏电流,增加了开关的功率处理能力,并优化了对片内1.2 V模拟和数字电路功能的支持。

UltraCMOS 13最初的目标是低于6 GHz的5G NR LNA,PA,交换机和集成前端等。在今天的论坛上,Jim Cable回顾了pSemi的发展历史并分享了pSemi在RF-SOI领域的创新。

村田旗下pSemi发分享RF-SOI设计创新

他分析了为什么CMOS工艺在射频前端赢得竞争?这就是集成的优势

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FET可以实现堆叠可以应对更高级别的射频功率,而SOI衬底助力创新

SOI衬底创新

这是pSemi的核心技术

核心iShuffle

这个技术从发明到现在已经占据绝对主导

核心技术

UltraCMOS技术也是执业界牛耳,获得的专利很多,别看p Semi公司不大但是技术专利在业界位居前十,超越skyworks,TI,英飞凌等大牌公司

UltraCMOS

未来,发展成多通道全集成设计前端?牛啊,现在已经出样了8通道毫米波射频前端产品。

基于SOI的全集成射频前端

 

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