TB世代来临,群联推第四代Smart ECC支援3D QLC

winniewei 提交于 周三, 06/06/2018
TB世代来临,群联推第四代Smart ECC支援3D QLC

个人资料量随着照片、影音、游戏的存储需求只增不减,全球存储消费者正朝向TB世代迈进,而日系及美系两大国际闪存制造厂不约而同在今年开始推出QLC闪存(NAND Flash)高密度内存容量的3D NAND Flash以加速TB世代的来临,有鉴于市场强劲需求,群联电子宣布,包括USB、存储卡、eMMC/UFSSSD等闪存主控皆全面支持QLC规格,并正式推出第四代SmartTMECC以发挥QLC之极致效能,让存储产品的记忆容量、读写延迟与存储质量达到完美平衡。

QLC(四阶存储单元)NAND Flash技术具备高密度容量特性,相较于TLC(三阶存储单元)规格的NAND的位元密度约高出3成以上,因此QLC规格产品的推出,将有助于带动TB (terabyte)等级大容量存储装置的普及化。群联电子累积18年的闪存主控自主设计开发经验,与闪存制造厂共同研发支持高密度内存单元的闪存,包括从SLCMLCTLC至今日的QLC规格,具备完整芯片设计之自有技术,包括闪存主控差异化特性的NAND Flash ECC(Error Correction Code)的纠错效能推出SmartTMECC技术,使用群联电子闪存主控搭配任何NAND Flash皆可以提升数据保护的效能,为了发挥QLC最大效能,群联电子也特别推出第四代的SmartTMECC

群联电子SmartTMECC之数据纠错保护机制为,当数据被写入到NAND Flash内部时,控制器同时会产生一组校正码与数据一起存入,数据从NAND读回时若发生错误,闪存主控会透过校正码更正数据,若发生的错误无法透过ECC校正码成功更正,这笔数据就会进入SmartTMECC的补救流程, 藉由特别设计的SmartTMECC算法修正数据, 提升数据可靠性。

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