TCK42xG系列支持外部背对背MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品配备了过电压锁定功能，能根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。
新产品具体包括：用于24V电源线的“TCK420G”；用于12V电源线的“TCK422G”和“TCK423G”；用于9V电源线的“TCK424G”；以及用于5V电源线的“TCK425G”。与已经推出的用于20V电源线的“TCK421G”共同构成完整的产品线。
在新推出这五款产品后，TCK42xG系列现在允许用户从10V和5.6V这两种类型的栅源电压中进行选择，这覆盖了更多规格的MOSFET。凭借输入过电压锁定功能的多种检测电压，该产品能用于5V至24V的电源线路。如果与外部背对背MOSFET结合使用，它们也适用于配置具有反向电流阻断功能的负载开关电路（图1）或电源多路复用器电路（图2）。除此之外，其内置的电荷泵电路支持从2.7V至28V的宽输入电压范围，因此经过间歇操作，可在外部背对背MOSFET的栅极和源极之间提供稳定的电压---这种方式允许大电流的切换。
TCK42xG采用WCSP6G[1]封装，是业内最小的[2]封装类型之一，助力可穿戴设备、智能手机等小型设备实现高密度贴装，从而缩小它们的尺寸。
此外，东芝还开发出电源多路复用器电路参考设计，这是一种利用TCK42xG的功能的电源多路复用器参考设计示例。该设计示例于今日在东芝网站上发布。
图1：负载开关电路（单高边、背对背）
图2：电源多路复用器电路
图3：电源多路复用器电路板
应用：
- 可穿戴设备
- 智能手机
- 笔记本电脑、平板电脑
- 存储设备等
特性：
- 内置电荷泵电路，栅极-源极电压设置（5.6V、10V）取决于输入电压
- 过电压锁定支持5V至24V
- 低输入关断电流：IQ(OFF)＝0.5μA（最大值）@VIN＝5V
主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）
器件型号 | TCK421G[3] | ||||||||||
封装 | |||||||||||
名称 | WCSP6G | ||||||||||
尺寸（mm） | 1.2×0.8（典型值），厚度＝0.35（最大值） | ||||||||||
工作范围 | |||||||||||
输入工作电压 VIN_opr（V） | @Ta＝-40至85℃ | 2.7-28 | |||||||||
电气特性 | |||||||||||
VIN UVLO阈值，VOUT下降 VIN_UVLO 典型值／最大值（V） | @Ta＝-40至85℃ | 2.0／2.5 | |||||||||
VIN OVLO阈值， VOUT下降 VIN_OVLO 最小值／最大值（V） | @Ta＝-40至85℃ | 26.50 ／28.50 | 22.34 ／24.05 | 13.61 ／14.91 | 10.35 ／11.47 | 5.76 ／6.87 | |||||
待机电流 （断态） IQ(OFF)最大值（μA） | @VIN＝5V， Ta＝-40至85℃ | 0.5 | |||||||||
栅极驱动电压 （VGATE1－VIN） （VGATE2－VOUT） VGS典型值（V） | @VIN＝12V／20V | 10／10 | 10／10 | 10／- | 5.6／- | -／- | -／- | ||||
栅极驱动电压 （VGATE1－VIN） （VGATE2－VOUT） VGS典型值（V） | @VIN＝5V／9V | 10／10 | 10／10 | 10／10 | 5.6／5.6 | 5.6／5.6 | 5.6／- | ||||
VGS导通时间 tON典型值（ms） | @VIN＝5V， CGATE1,2＝4000pF | 2.9 | |||||||||
VGS关断时间 tOFF典型值（μs） | @VIN＝5V， CGATE1,2＝4000pF | 52 | 23 | ||||||||
OVLO VGS关断时间 tOVP典型值（μs） | @CGATE1,2＝4000pF | 31 | 34 | 41 | 16 | 18 | 19 | ||||
库存查询与购买 | |||||||||||
注：
[1] 1.2mm×0.8mm芯片级封装
[2] 在MOSFET栅极驱动IC中，截至2022年6月的东芝调研。
[3] 已经发布的产品
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TCK425G
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
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