7月29日，南大光电发布公告称，公司承担的国家科技重大专项(02 专项)已通过专家组验收。其中包括极大规模集成电路制造装备及成熟工艺、先进 7 纳米光刻胶产品开发与光刻胶供给链产业化。
据悉，这种光刻胶可用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺，已建成年产25吨产业化基地。
公告显示，ArF光刻胶材料广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等）。
长期以来， 国内高端光刻胶市场长期为国外巨头所垄断，对国内芯片制造具有“卡脖子” 风险。尽快实现先进光刻胶材料的全面国产化和产业化，具有十分重要的战略意义和经济价值。
此外，有关光刻胶产品知识产权及相关人才的培养。南大光电内部形成了由51人组成的ArF光刻胶研发及生产管理团队。在光刻胶成品的质量把控及良品率调控上，南大光电成功建成ArF光刻胶质量控制平台。
目前南大光电已具备年产25吨光刻胶成品的能力，其中包括5吨干式ArF光刻胶、20吨浸没式ArF光刻胶。
专利方面，截至2021年，南大光电申请专利总计91项、国内发明专利有81项、国际发明专利4项、实用新型专利6项（已授权）、制定团体标准3项、研制新产品2项。
