英飞凌OptiMOS™源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置

winniewei 提交于 周三, 11/04/2020
英飞凌OptiMOS™源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置

2020113慕尼黑讯】当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸,以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通过专注于强化元器件产品达到系统创新,来应对这一挑战。继2 月份推出 25 V 装置后,英飞凌又推出了 OptiMOS™ 40 V 低电压功率 MOSFET,采用源极底置 (SD, Source-Down) PQFN 封装,尺寸为 3.3mm x 3.3 mm。这款 40 V SD MOSFET 适用于服务器的 SMPS、电信和 OR-ing,还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。

OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本:标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。采用源极底置 (SD) PQFN 封装的装置尺寸为 3.3mm x 3.3 mm,可使 RDS(on)大大降低 25%,接面与外壳间的热阻 RDS(on)亦获得大幅改善。

SD 封装的内部采用上下倒置的芯片。如此一来,让源极电位 (而非汲极电位) 能通过导热片连接至 PCB。与现有技术相比,此版本最终可使 RDS(on)大大降低 25%。相较于传统的 PQFN 封装,接面与外壳间的热阻 (RthJC)亦获得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高达 194 A 的高连续电流。此外,经过优化的配置可能性和更有效的 PCB 利用,可实现更高的设计灵活性和出色的性能。

供货情况

OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本:标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。两个版本皆 PQFN 3.3mm x 3.3 mm封装,已开始接受订购。欲获得更多资讯请浏览www.infineon.com/source-down

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司,我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2019财年(截止9月30日),公司的销售额达80亿欧元,在全球范围内拥有约41,400名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约2000名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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