意法半导体推出世界首款驱动与GaN集成产品,开创更小、更快充电器电源时代

winniewei 提交于 周六, 10/10/2020
意法半导体推出世界首款驱动与GaN集成产品,开创更小、更快充电器电源时代
  • 世界首个单封装集成硅基驱动芯片和GaN功率晶体管的解决方案
  • 比硅基充电器和适配器尺寸缩小80%,减重70%,充电速度提高2倍

20201010——横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 推出世界首个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓(GaN)晶体管的MasterGaN®产品平台,这个集成化解决方案将有助于加快下一代400W以下便节能的用于消费电子和工业充电器和电源适配器的开发速度。

GaN技术使电设备能够处理更大功率,同时设备本身变得更小、更轻、更节能,这些改进将会改变用于智能手机超快充电器和无线充电器用于PC和游戏机USB-PD紧凑型适配器,以及太阳能储电系统、不间断电源或高端OLED电视机和云服务器等工业应用。

在当今的GaN市场上,通常采用功率晶体管和驱动IC的方案,这要求设计人员必须学习如何让它们协同工作,实现最佳性能。意法半导体的MasterGaN方绕过了这一挑战,缩短了产品上市时间,并能获得预期的性能,同时使封装变得更小、更简单,电路组件更少,系统可靠性更高。凭借GaN技术和意法半导体集成产品的优势,采用新产品的充电器和适配器比普通硅基解决方案缩减尺寸80%,减重70%。

意法半导体执行副总裁、模拟产品分部总经理Matteo Lo Presti表示:“ST独有的MasterGaN产品平台是基于我们的经过市场检验的专业知识和设计能力,整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术而成,能够加快节省空间、高能效的环境友好型产品的开发。”

MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品,集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。

MasterGaN1现已量产,采用9mm x 9mm GQFN封装,厚度只有1mm。

意法半导体还提供一个产品评估板,帮助客户快速启动电源产品项目。

技术细节:

MasterGaN平台借用意法半导体的STDRIVE 600V栅极驱动芯片和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封装保证高功率密度,为高压应用设计,高低压焊盘间的爬电距离大于2mm。

该产品系列有多种不同RDS(ON) 的GaN晶体管,并以引脚兼容的半桥产品形式供货,方便工程师成功升级现有系统,并尽可能少地更改硬件。在高端的高能效拓扑结构中,例如,带有源钳位的反激或正激式变换器、谐振变换器,无桥图腾柱PFC(功率因数校正器),以及在AC/DCDC/DC变换器和DC/AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑,GaN晶体管低导通损耗和无体二极管恢复两大特性,使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。

MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关晶体管,最大额定电流为10A,导通电阻(RDS(ON)) 150mΩ。逻辑输入引脚兼容3.3V至15V的信号,还配备全面的保护功能,包括高低边UVLO欠压保护、互锁功能、关闭专用引脚和过热保护。

点击 https://blog.st.com/mastergan1/ 阅读相关博文。

关于意法半导体

意法半导体拥有46,000名半导体技术、产品和方案的创新者和创造者,掌握半导体供应链和最先进的制造设备。作为一家独立的半导体设备制造商,意法半导体与十万余客户、上千合作伙伴一起研发产品和解决方案,共同构建生态系统,帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇,满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能,电力和能源管理更高效,物联网和5G技术应用更广泛。详情请浏览意法半导体公司网站:www.st.com

相关文章

Digi-Key