Transphorm推出4 kW模拟控制无桥图腾柱GaN评估板

winniewei 提交于 周四, 09/03/2020
Transphorm推出4 kW模拟控制无桥图腾柱GaN评估板

TDTTP4000W065AN充分利用SuperGaN™ FET的性能,设计更简单

高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)宣布推出其最新的评估板TDTTP4000W065AN。该评估板为高达4千瓦(kW)的单相交流转直流(AC-DC)电源转换而设计,采用无桥图腾柱功率因数校正(PFC)拓扑和传统的模拟控制。这种组合使Transphorm最新的SuperGaN™ FET能够快速、轻松地获得一流的转换效率,且使用数字信号控制器(DSC)时无需进行固件开发。

借助RDDR推动GaN普及

Transphorm的高压GaN平台和相关设计工具的创新路径围绕提供一流的GaN可靠性、易设计性、易驾驶性和大批量可再现性(RDDR)。为此,TDTTP4000W065AN让电源系统工程师能够获得比使用了超结MOSFET的标准CCM Boost PFC设计更高的效率。

该评估套件的额定值为4 kW高压线(180-260 V)和2 kW低压线(90-120 V)。模拟图腾柱解决方案的主要优势如下:

  • 维护电源——支持加电和为芯片组供电等基本功能所需的电源——在任何系统中均为相对固定值。因此,随着应用功率电平的降低,维护电源将占系统总功率损耗的较大比例。与DSP解决方案相比,Transphorm的模拟板从一开始就需要较低的维护功率,从而提高整体系统效率。
  • 不需要DSP固件编程,适合标准CCM升压AC-DC PFC功率级。

对于需要更高设计灵活性的工程师,Transphorm已于今年初推出了TDTTP4000W066C。这款基于DSC的4 kW交流转直流板还使用无桥图腾柱PFC及该公司的SuperGaN FET。但是,它整合了微芯科技(Microchip)的dsPIC33CK DSC板,该板已经过预编程,并由专用固件提供支撑。

Transphorm全球技术营销与北美销售副总裁Philip Zuk表示:“Transphorm的模拟评估板提供了前所未有的、以最简单的方式使用我们高效GaN的机会。与之前的数字板非常相似的是,它为电源系统工程师提供了以往高压设备市场所缺少的选择。无论最终应用的针对性价值主张如何,我们都能提供各种工具集和最强大的GaN来帮助您取得成功。”

SuperGaN器件:性能超越超结MOSFET

TDTTP4000W065AN在板中采用Transphorm的SuperGaN Gen IV TP65H035G4WS FET作为快速开关支路,而低电阻硅MOSFET则用在慢速开关支路中。最终的性能与其数字控制产品TDTTP4000W066C相似。

TP65H035G4WS是采用TO-247通孔封装且导通电阻为35毫欧的650伏器件,具有固有的高热耗散能力。此功能消除了将器件并联以输出更高功率的需求,而这是具有竞争力的表面贴装GaN解决方案所需的一种设计方法。而且,与所有其他Transphorm GaN器件一样,SuperGaN FET可以通过4伏阈值电压(Vth)及0至12伏现成的标准栅极驱动电路来驱动。

供应情况

TDTTP4000W065AN评估板目前可通过Digi-KeyMouser获取。

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项 ,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压GaN半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息,请访问www.transphormusa.com。在Twitter @transphormusa上关注我们。

原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20200901005326/en/

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