GaN器件的直接驱动配置

winniewei 提交于 周二, 08/04/2020
GaN器件的直接驱动配置

受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容(Ciss、Coss、Crss)和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器(PFC)等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗,MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)实现此类拓扑。本文中,我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点,包括更低的开关损耗、更佳的压摆率控制和改进的器件保护。

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