美光将于本季度量产基于RG架构的128层3D NAND闪存

winniewei 提交于 周四, 04/02/2020
美光将于本季度量产基于RG架构的128层3D NAND闪存

资料图(来自:Micron)

美光在二季度财报电话会议上透露,该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划,美光将于 2020 Q3 采集开始生产,并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型,第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。

此外,作为美光长期技术演进计划的核心,该公司将用替换门(RG)技术来取代与英特尔合作时期使用了多年的传统浮栅技术。

美光拥有 RG 技术的完整设计,且希望本次技术转型能够减小管芯尺寸、降低成本、提高性能,以及更轻松地过渡到更多层的下一代节点。

尽管量产工作宜早不宜迟,但美光向也投资者指出,该公司不会在今年内全面转向基于 RG 架构的 3D NAND 技术,毕竟早期良率还有继续提升的空间。

美光称,其计划在 2020 Q4 财季(今夏)开始出货 128 层 RG 架构的 3D NAND 闪存产品。

首席执行官 Sanjay Mehrotra 补充道:“我们在向 RG 技术过渡方面取得了重大进展,预计到 2020 年末,它将成为公司 NAND 总供应量的重要组成部分”。

来源:cnBeta.COM

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