Microchip扩展碳化硅(SiC)电源器件系列产品,助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠性

winniewei 提交于 周三, 03/18/2020
Microchip扩展碳化硅(SiC)电源器件系列产品,助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠性

基于SBD的700V、1200V和1700V电源模块可最大程度地提升开关效率减少温升缩小系统尺寸 

业界希望基于碳化硅(SiC)的系统能最大程度地提升效率、减小尺寸和重量,从而帮助工程师创建创新的电源解决方案;这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、充电站、智能电网、工业电力系统和飞机电力系统等。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出更小、更轻及效率更高的SiC电源模块,进一步丰富了其电源产品线。凭借新型SiC电源模块及各类单片机和模拟产品, Microchip能够满足客户对大功率系统控制、驱动和功率级电路等方面的需求,提供完整的系统解决方案。

MicrochipSiC系列产品包含以肖特基势垒二极管(SBD)为基础的700V、1200V和1700V商业级电源模块。除了提供不同的电流和封装方案之外,新推出的系列电源模块还采用双二极管(Dual Diode)、全桥(Full Bridge)、相脚(Phase Leg)、双共阴极(Dual Common Cathode)和三相桥(3-Phase bridge)等各种拓扑结构。SiC SBD模块可将多个SiC二极管芯片与可选件结合在一起,将基片和底板材料集成到单个模块,进而简化设计,最大程度地提升开关效率,减少温升并缩小系统尺寸。

Microchip分立器件事业部副总裁Leon Gross表示:“SiC技术的应用和拓展是当前系统创新的驱动力。作为行业领军者,Microchip正同所有细分市场和全球各地的客户开展合作。我们始终将提供可靠的新型解决方案作为业务重点。从产品定义到产品发布的各个阶段,我们的SiC技术提供优越的可靠性和稳健性,可帮助电力系统设计人员保障电力系统的长期运行,而不会降低系统性能。”

丰富多样的700V、1200V和1700V SiC SBD模块产品线采用Microchip最新一代的SiC芯片,可最大程度地提升系统可靠性和稳健性,保障电力系统的寿命和稳定性。这些器件的高雪崩性能可使系统设计人员减少对缓冲电路的需求。由于这些器件的体二极管具有稳定性,电力系统可在内部采用体二极管,避免长期运行后出现性能退化。Microchip内部检测和第三方检测显示,相比其他使用SiC制造的器件,这些器件在关键的可靠性指标上表现更佳。

开发工具

Microchip30kW三相Vienna功率因数校正(PFC)功能、SiC分立器件和SP3/SP6L模块驱动参考设计/驱动板可帮助系统开发人员缩短开发周期。

供货

700V、1200V和1700V SiC SBD电源模块现已发布并开放订购。多个SiC SPICE模型、SiC驱动板参考设计和PFC Vienna参考设计为整个SiC产品系列提供支持。MicrochipSiC产品及其辅助产品现已实现量产。Microchip针对SiC MOSFET和SiC二极管提供各种裸片和封装方案。

欲了解更多信息,请联系Microchip的销售代表或全球授权分销商,或访问Microchip的SiC产品网站。如欲购买文中提到的产品,请联系Microchip的授权分销商。 

资源

可通过Flickr或联系编辑获取高分辨率图片(可免费发布):

Microchip Technology Inc. 简介

Microchip Technology Inc.是致力于智能、互联和安全的嵌入式控制解决方案的领先供应商。 其易于使用的开发工具和丰富的产品组合让客户能够创建最佳设计,从而在降低风险的同时减少系统总成本,缩短上市时间。Microchip的解决方案为工业、汽车、消费、航天和国防、通信以及计算市场中12万多家客户提供服务。Microchip总部位于美国亚利桑那州Chandler市,提供出色的技术支持、可靠的产品交付和卓越的质量。详情请访问公司网站www.microchip.com

相关文章

Digi-Key