CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块

winniewei 提交于 周四, 03/05/2020
CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块

比利时·蒙-圣吉贝尔,2020年35  各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布,继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。这项新的智能功率模块技术提供了一一体化解决方案,即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。

这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制,对于电动汽车(EV)整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言,该平台可以帮助他们加快产品上市时间。

该可扩展平台中的第一产品是一个三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模块具有低导通损耗特性,导通电阻为3.25毫欧(mOhm),同时具有低开关损耗特性,在600V/300A时导通和关断能量分别为8.3mJ11.2mJ。相比最先进的IGBT功率模块,其损耗降低了。新模块通过一个铝碳化硅(AlSiC翅底板进行水冷,结到流体的热阻为0.15°C / W。该智能功率模块可承受高达3600V的隔离电压经过50Hz1分钟的耐压测试

内置的栅极驱动器包括3个板载隔离电源(每相1个),可提供每相高达5W的功率,从而可以在高达125°C的环境温度下轻松驱动频率高达25KHz的功率模块。高达10A的峰值栅极电流和对高dV/dt(> 50KV/µs)的抗扰性可实现功率模块的快速开关和低开关损耗。还具备欠压锁定(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)、去饱和检测和软关断(SSD)等保护功能,以确保一旦发生故障时可以安全地驱动功率模块并提供可靠的保护。

“开发和优化快速开关碳化硅功率模块并可靠地驱动它们仍是一个挑战,”CISSOID首席执行官Dave Hutton表示。“这款新型碳化硅智能功率模块是在功率模块和栅极驱动器方面进行多年开发的成果,这源于我们和汽车与交通运输领域领导者们的密切合作。我们很乐意向早期的碳化硅器件采用者提供首批智能功率模块样品,从而去支持汽车行业向高效的电动汽车解决方案过渡。”

更多信息,请访问http://www.cissoid.com/new-products/

关于CISSOID - www.cissoid.com

CISSOID公司是各个行业中所需高温半导体解决方案的领导者。

专注于汽车领域,我们可提供高效的功率转换和精巧的电机驱动方案:适用于SiC和 GaN 开关管的高压门驱动,具低电感及增强热性能的功率模块,以及超越AEC-Q100 0级质量标准的175°C工作温度的汽车级元器件。

面向航空、工业和石油及天然气市场,我们专为极端温度与恶劣环境提供信号调节、电机控制、时钟及电源管理方面的解决方案。CISSOID产品性能可靠,可在-55°C +225°C温度范围的条件下工作。

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